【技术实现步骤摘要】
一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺
[0001]本专利技术属于二极管
，尤其涉及一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺。
技术介绍
[0002]现在，对于高性能高可靠性的碳化硅二极管来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一，表面钝化工艺主要就是在器件终端表面覆盖保护介质膜，防止器件终端结构中的氧化层吸附环境中的水汽以及封装对终端的影响，从而提升改善器件的可靠性。但是现有的在钛镍银TI
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NI
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AG表面涂覆聚酰亚胺工艺成本较高。
[0003]综上，现亟需一种能够解决上述技术问题，通过在金属铝AL与钛镍银TI
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NI
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AG夹层之间淀积PE氮化硅，从而来克服上述问题。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺旨在解决现有技术的传统工艺成本较高的问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
[0006]一种银面碳化...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：S10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；S20.在金属铝层上沉积一层等离子PE氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子PE氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；S30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；S40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。2.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，张光亚，朱勇华，付国振，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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