一种复合衬底及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种复合衬底，属于半导体器件领域，包括衬底基板，所述衬底基板上交错分布有凹槽，凹槽中填充异质材料填充层，异质材料填充层上表面低于衬底基板上表面；衬底基板和异质材料填充层的折射率相异且异质材料填充层折射率小于4。本发明专利技术还提供一种复合衬底制造方法。本发明专利技术能够提高外延层的晶体质量，降低位错；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率，从而提升亮度。从而提升亮度。从而提升亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种复合衬底及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种复合衬底及其制造方法，属于半导体器件领域。

技术介绍

[0002]以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)及其三元和四元合金材料为主的第三代半导体材料，由于其能带宽度可在0.7eV至6.2eV连续可调，且均为直接带隙，以及其优异的物理、化学稳定性，高饱和电子迁移率等特性，成为GaN基发光二极管(LED)、激光器、电子功率器件等光电器件的优选材料。但是，由于GaN和AlN单晶材料制备非常困难，鉴于蓝宝石衬底的优异性能和技术成熟度，目前通常都是选择蓝宝石衬底。然而，蓝宝石与GaN材料的晶格常数相差约15％，与AlN材料晶格常数相差约为13.3％，导致在蓝宝石衬底上生产的氮化物材料晶体质量差，从而影响器件的使用寿命和发光效率。图形化蓝宝石衬底(PSS)技术在GaN基LED外延生长中得到大幅度推广与应用，呈现迅猛发展的势头。相对采用平片蓝宝石衬底制作的LED芯片，PSS对应的LED芯片亮度提升30％左右。PSS已经成为LED产业的主流衬底材料。
[0003]虽然PSS能够提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合衬底，包括衬底基板(101)，其特征在于：所述衬底基板(101)上交错分布有凹槽，凹槽中填充异质材料填充层(102)，异质材料填充层(102)上表面低于衬底基板(101)上表面；衬底基板(101)和异质材料填充层(102)的折射率相异且异质材料填充层(102)折射率小于4。2.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：有氮化物层(103)覆盖在衬底基板(101)和异质材料填充层(102)上；衬底基板(101)上覆盖的氮化物层(103)和异质材料填充层(102)上覆盖的氮化物层(103)厚度相同。3.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述异质材料填充层(102)包含至少两种折射率相异的材料；异质材料填充层(102)的折射率由底至上单调增减。4.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述异质材料填充层(102)上表面和衬底基板(101)上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：至芯半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：