一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管技术

本发明专利技术提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，所述制备方法包括以下步骤：制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；完成后进行高温推进形成P阱与N阱；在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；在N型半导体衬底的背面蒸发形成一金属银层，并引出负电极。在保证特性不变的条件下省略孔层次的工艺，从而提高产品生产效率，降低器件的生产成本。器件的生产成本。器件的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管


[0001]本专利技术属于二极管
，尤其涉及一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管。

技术介绍

[0002]快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
[0003]快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前，此种高性能特性的快恢复二极管加工工艺主要采用五层光刻，此种加工方式生产效率低下，生产成本较高。
[0004]综上，现亟需一种能够解决上述技术问题，能够在保证产品特性不变的条件下省略孔层次的工艺加工，从而来克服上述问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，旨在解决现有技术生产效率低下，生产成本较高的问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；(2)在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；(3)通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；(4)在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；(5)通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；(6)完成后进行高温推进形成P阱与N阱；(7)在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；(8)在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；(9)在N型半导体衬底的背面蒸发形成一金属银层，并引出负电极。2.根据权利要求1所述的低压快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述热氧化层的厚度为20000～25000埃。3.根据权利要求1所述的低压快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述步骤(4)中高能离子注入离子磷采用的能量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，张光亚，朱勇华，付国振，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：