一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法技术方案

技术编号:28058025 阅读:29 留言:0更新日期:2021-04-14 13:31
本发明专利技术涉及一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法,包括外壳本体,其中间安装金属底板,将外壳本体形成双面腔结构,还包括上金属框以及下金属框,金属底板中间镂空,且在镂空处嵌设多层陶瓷基板,多层陶瓷基板的表面、底面均开设腔体;上金属框、下金属框将多层陶瓷基板与金属底板之间形成密封;多层陶瓷基板边缘位置设置基板台阶结构,金属底板镂空边缘同样设置底板台阶结构,基板台阶结构与底板台阶结构匹配;在多层陶瓷基板上开设通孔,所述的通孔内设置台阶,通孔内嵌设SMP玻璃绝缘子;在上金属框、下金属框的侧壁均开设槽口,槽口内嵌入陶瓷绝缘子;本发明专利技术可以实现多芯片气密性封装,微波性能好,可靠性高。可靠性高。可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法


[0001]本专利技术涉及一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法,属于异质集成三维封装外壳领域。

技术介绍

[0002]为了配合低功耗、高性能的计算、通信与控制装置对于小型化、智能化以及网络化的需求,在进行电路设计时需要设法把越来越多的功能集成到越来越小的装置空间中,即要求将更多不同功能的电路集成封装在一个小型化的盒体之中。采用三维集成封装结构形式就是解决上述问题的良好方案,即在传统二维传输结构电路的基础上,增加垂直方向射频传输通道,实现电路模块的的三维封装,以期最大限度地减小电子模块的封装体积,达到增加有效载荷的目标,对占领未来高科技领域制高点具有重大意义。
[0003]采用三维结构形式进行封装,即需要在一个平面内传输射频、控制与电源等不同的信号,又需要在垂直方向传输相同的信号;同时,又由于这些信号采用微带、同轴及电连接线等不同的传输通道进行传输,给配套的外壳研制带来了极大的难度。传统封装外壳信号传输介质一般都是单一材料,外壳内部信号传输方向多为一个平面内的方向,封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳,其特征在于:包括外壳本体,其中间安装金属底板,将外壳本体形成双面腔结构,还包括上金属框以及下金属框,上金属框焊接在金属底板的上表面,下金属框焊接在金属板的下表面,形成外壳本体的整体框架;金属底板中间镂空,且在镂空处嵌设多层陶瓷基板,多层陶瓷基板的表面、底面均开设腔体,在多层陶瓷基板的表面设置电路图形,电路图形与金属底板未连通,形成孤岛部分;多层陶瓷基板边缘位置设置基板台阶结构,金属底板镂空边缘同样设置底板台阶结构,基板台阶结构与底板台阶结构匹配;在多层陶瓷基板上开设通孔,所述的通孔内设置台阶,通孔内嵌设SMP玻璃绝缘子;在上金属框、下金属框的侧壁均开设槽口,槽口内嵌入陶瓷绝缘子。2.根据权利要求1所述的具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳,其特征在于:前述的陶瓷绝缘子包括上片部分和下片部分,上片部分为呈工字形的加强筋,其设置在下片部分表面;在下片部分表面并列排布若干条传输线,每条传输线包括带状线,在带状线的两端连接微带线,形成微带线、带状线、微带线的组合形式;若干条并列排布的传输线远离槽口的端部设置若干引线,引线包括高频引线以及低频引线,高频引线焊接在用作高频传输的传输线外侧微带线上,低频引线焊接在用作低频传输的传输线外侧微带线上,其中,高频引线位于陶瓷绝缘子下片部分的表面,且其靠近SMP玻璃绝缘子。3.根据权利要求2所述的具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳,其特征在于:在下片部分表面并列排布的若干条传输线包括高频传输线以及低频传输线,当其为高频传输线时,微带线、带状线、微带线组合的各段宽度尺寸比为0.20mm

0.40mm:0.10mm

0.20mm:0.20mm

0.40mm,当传输线为低频传输线时,微带线、带状线、微带线组合的各段宽度尺寸比为0.70mm

1.00mm:0.50mm

0.70mm:0.70mm

1.00mm。4.一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳的多层陶瓷基板的制作方法,其特征在于:具体包括以下步骤:第一步,按照氧化铝或氮化铝陶瓷配方进行配料、球磨,流延出厚度为0.2mm

0.35mm的生瓷片作为备用;第二步,采用高温共烧多层陶瓷工艺对生瓷片进行打孔、填孔,在生瓷片表面印刷金属化图形;第三步,在经过高温共烧多层陶瓷工艺处理的生瓷片表面、底面加工镂空铝板,再通过余料回填方式制作位于边缘的基板台阶结构;第四步,对第三步获取的基板整叠生瓷经过生切,在需要焊接的位置涂覆金属化浆料,再进行烧结,即得多层陶瓷基板。5.一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳的外壳制作方法,其特征在于:具体包括以下步骤:第一步,将上金属框、下金属框在800℃

1200℃的氢气气氛条件下进行退火,随炉冷却,在上金属框、下金属框的表面电镀镍层,镍层厚度为0.5μm
...

【专利技术属性】
技术研发人员:庞学满曹坤戴雷陈雨钊
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:

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