基于硅基封装基板的封装结构制造技术

本发明专利技术属于集成电路设计和封装领域。本发明专利技术以硅基封装基板取代印制电路板作为封装基板，本发明专利技术的封装结构包括承载的芯片、硅基封装基板、强度加强基板、封装焊盘和封装外壳；硅基封装基板通过金属走线将电信号从承载的芯片的输入输出焊盘引到封装焊盘；强度加强基板，用于增强封装结构的应力强度和散热，置于硅基封装基板之上并与之相联，或者置于硅基封装基板之下并与之相联。本发明专利技术易于布线、走线干扰小、信号失真小、易于集成有源和无源器件、易于芯片焊接。易于芯片焊接。易于芯片焊接。

【技术实现步骤摘要】
基于硅基封装基板的封装结构


[0001]本专利技术属于集成电路设计和封装领域，应用于集成电路的多晶圆封装、高性能先进工艺芯片封装等领域，具体涉及以硅基封装基板取代印制电路板作为封装基板的封装结构。

技术介绍

[0002]现有技术中的2.5D CoS(Chip on Substrate)封装结构如图1所示。芯片1和芯片2主要实现集成电路功能。硅基硅过孔插入层(TSVSi Interposer，TSV是Throughsilicon via的英文简称)的主要作用有二：对芯片1和芯片2的信号互联，通过过孔实现芯片1或芯片2与传统的封装基板(Package substrate)导通。传统的封装基板由采用面积较小的印制电路板(Printed circuit board，简称PCB)构成，封装基板的走线将硅基硅过孔插入层的焊盘与整体封装外部的焊盘连接起来。
[0003]现有技术中的2.5D CoW(Chip on Wafer)封装结构如图2所示。相比于2.5D CoS封装，2.5D CoW封装是芯片先于插入层加工成2.5D CoW模块，再安装到倒装(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基封装基板的封装结构，其特征在于包括承载的芯片、硅基封装基板、强度加强基板、封装焊盘和封装外壳；其中，承载的芯片，是整个封装的集成电路的功能部分；硅基封装基板，采用集成电路制造工艺制造，通过金属走线将电信号从承载的芯片的输入输出焊盘引到封装焊盘，承担承载的芯片与封装焊盘之间电信号走线连接功能；强度加强基板，用于增强封装结构的应力强度和散热，置于硅基封装基板之上并与之相联，或者置于硅基封装基板之下并与之相联；置于硅基封装基板之上并与之相联时，硅基封装基板直接与封装焊盘相联；置于硅基封装基板之下并与之相联时，强度加强基板仅提供硅基封装基板与封装焊盘之间的电信号通孔，以及联接封装焊盘。2.一种如权利要求1所述的封装结构，其特征在于硅基封装基板是单层硅基封装基板、或者是双层硅基封装基板、或者是多层硅基封装基板。3.一种如权利要求1所述的封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：湛伟，马淑彬，丛伟林，
申请(专利权)人：成都华微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：