一种改善LCOS工艺缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种改善LCOS工艺缺陷的方法，提供用于LCOS工艺的像素区和逻辑区，像素区设有上表面暴露的顶层铜；在顶层铜上表面沉积一层保护层，使顶层铜上表面产生丘状凸起以释放顶层铜表面的应力；刻蚀去除保护层；平坦化顶层铜的上表面以去除丘状凸起；在平坦化的顶层铜的上表面再次沉积保护层。本发明专利技术在不增加光罩的情况下，通过先释放铜表面应力后，再次沉积保护层以防止铜离子扩散，工艺制程优化后，铜表面的缺陷数量显著减少。铜表面的缺陷数量显著减少。铜表面的缺陷数量显著减少。

【技术实现步骤摘要】
一种改善LCOS工艺缺陷的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善LCOS工艺缺陷的方法。

技术介绍

[0002]新型的反射式MICRO LCD投影技术，其结构在硅片上，利用半导体制程制作驱动面板，然后在电晶体上透过研磨技术磨平，并镀上铝作为反射镜，形成CMOS基板，然后将CMOS基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合，再注入液晶，进行封装测试。
[0003]目前市场上硅基微显示(LCOS)芯片主要采用90nm～0.13um Al互连工艺，对于55nm Cu互连工艺的应用处于待开发状态。
[0004]LCOS应用于55nm Cu互连工艺，需开发“像素(pixel)”区域钝化刻蚀(passivation etch)工艺，以便顶层铜板(TM Cu pad)作为反射式液晶控制单元。顶层铜板无法与铝板(Al pad)一样直接外漏使用，需沉积一层薄膜保护层，会导致铜板(Cu pad)表面产生丘状缺陷(hillock defect)，影响反射效果。
[0005]因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一、提供用于LCOS工艺的像素区和逻辑区，所述像素区和逻辑区彼此相邻；并且所述像素区设有上表面暴露的顶层铜；步骤二、在所述顶层铜上表面沉积一层保护层，使所述顶层铜上表面产生丘状凸起以释放所述顶层铜表面的应力；步骤三、刻蚀去除所述保护层；步骤四、平坦化所述顶层铜的上表面以去除所述丘状凸起；步骤五、在平坦化的所述顶层铜的上表面再次沉积所述保护层。2.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述顶层铜的厚度为3.根据权利要求1所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素区的所述上表面暴露的顶层铜是由刻蚀所述像素区中位于所述顶层铜上的叠层，将所述顶层铜暴露而形成。4.根据权利要求3所述的改善LCOS工艺缺陷的方法，其特征在于：步骤一的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何亮亮，梁成栋，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：