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本发明提供一种改善LCOS工艺缺陷的方法，提供用于LCOS工艺的像素区和逻辑区，像素区设有上表面暴露的顶层铜；在顶层铜上表面沉积一层保护层，使顶层铜上表面产生丘状凸起以释放顶层铜表面的应力；刻蚀去除保护层；平坦化顶层铜的上表面以去除丘状凸起...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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