一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法，步骤一：卷料线材的选用；步骤二：整直及切割；步骤三：热处理加硬；步骤四：一次电镀隔氧化；步骤五：直向式角度研磨；步骤六：微雕蚀刻；步骤七：表面清洗抛光；步骤八：依要求客制折弯探针；步骤九：二次贵金属电镀；步骤十：探针检测，此用于晶圆芯片探针结构的加工方法，微蚀刻可控制针尖大小，范围可达1um至15um之间，后工序增加金属电镀针体(铑、镍、铂、钯或金)，可让针体表面可达800维式硬度，且选择的贵金属都是高导电和耐磨的特性，故验证过后，可大幅提升探针对晶圆芯片的测试寿命。可大幅提升探针对晶圆芯片的测试寿命。可大幅提升探针对晶圆芯片的测试寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶圆芯片探针结构的加工
，具体为一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法。

技术介绍

[0002]目前，现有的晶圆芯片探针结构在进行加工时，需要对其进行研磨加工，然而晶圆芯片探针结构在研磨工艺上，由于机台设计的限制，使用横向角度进行研磨的方式，仅可单次单只研磨，造成生产的速度无法批量化的生产，需购置大量的研磨设备，以应付交货的时间，同时增大生产成本。为此，我们提出一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法，包括以下步骤：
[0005]步骤一：卷料线材的选用，采购特制0.5mm铍铜卷料线材进料；
[0006]步骤二：整直及切割，在步骤一种的卷料进厂后，由于是卷料弯曲的，所以必需进行整直及切割，裁切至20mm后，为符合后道工序需做表面清洗，洗脱油本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：卷料线材的选用，采购特制0.5mm铍铜卷料线材进料；步骤二：整直及切割，在步骤一种的卷料进厂后，由于是卷料弯曲的，所以必需进行整直及切割，裁切至20mm后，为符合后道工序需做表面清洗，洗脱油脂及杂质；步骤三：热处理加硬，在步骤二中整直及切割以及表面清洗后的卷料，依美规铍铜金属特性可做热处理的调整，让原本线体维氏硬度280，经过高温400度，维持3个小时后，加硬至维氏硬度达380到420，以利特制砂轮研磨时，对应研磨速度、力度及反作用力，不会弹开；步骤四：一次电镀隔氧化，对步骤三中处理后的卷料进行初步一次电镀，让空气中的湿度、温度不对铍铜进行氧化作用，造成黑斑氧化；步骤五：直向式角度研磨，研磨工序，使用专门客制化直向式角度高精度研磨设备进行批量化的生产，且每次研磨时上料为若干支，并且利用数控气缸控制研磨速度，加上特制设备，使磨制针尖达1um或15um之间；步骤六：微雕蚀刻，采用化学微雕针尖成型为子弹头型；步骤七：表面清洗抛光，对步骤二中经过微雕处理过后，对针体全身进行后抛光清洗，让针体表面光泽明亮；步骤八：依要求客制折弯探针，使用端对晶圆芯片的电极及尺寸要求，针对客户下的规格进行针的折弯，其折弯的重点，弯针的角度范围及针锥长度范围内都必而透过客制化弯针机来进行使用端的规格要求；步骤九...

【专利技术属性】
技术研发人员：田敏，刘韦廷，
申请(专利权)人：田敏，
类型：发明
国别省市：