一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法技术

本发明专利技术属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N

【技术实现步骤摘要】
一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法


[0001]本专利技术属于功率半导体器件设计
，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法。

技术介绍

[0002]平面栅IGBT器件相比于沟槽栅IGBT器件具有优越的可靠性，在具有较高可靠性要求的领域得到了大规模的应用。
[0003]在针对平面栅IGBT器件的改进工艺中，降低平面栅IGBT导通压降普遍采用的方法是注入增强型N型杂质，形成的N型增强层位于整个晶圆的表面，以降低IGBT元胞间的电阻，但是此方法会造成IGBT的击穿电压(BV)下降，反向传输电容(Cres)升高。针对此方法改进的方法是在多晶刻蚀之后，利用多晶做阻挡层，局部注入增强型N型杂质，再推进，在P形体区外，主要是底部形成N型增强层来降低IGBT导通压降，此方法中N型增强层位于P形体区的底部，但是此方法会存在IGBT的导通压降(Vcesat)偏大的问题。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术的不足，本专利技术提供一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，能够解决现有技术在降低平面栅IGBT导通压降同时引起本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，其特征在于，包括，1)在N型漂移区正面进行光刻，注入N型杂质形成并列的第一N型增强部和第二N型增强部；所述第二N型增强部位于第一N型增强部外围，第一N型增强部和第二N型增强部存在间隙；所述第二N型增强部的注入深度小于第一N型增强部；2)对第一N型增强部和第二N型增强部进行N型杂质热推，形成呈阶梯形相连的N型增强层；3)在N型漂移区正面进行栅氧生长和多晶淀积，制备栅极；4)对N型增强层上方的栅极进行光刻，注入P型杂质，进行P型杂质推进，在N型增强层内形成P型体区，构成P型体区的底部和侧面为N型增强层的N
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P
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N结构，且底部和侧面的N型增强层不相连；5)在P型体区正面形成N+区；6)在栅极和N+区正面沉积介质，形成介质层；7)在介质层正面进行接触孔光刻和金属溅射，形成发射极；8)在N型漂移区的背面注入P型杂质并退火形成P型集...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东岳，张大华，叶枫叶，骆健，
申请(专利权)人：南瑞联研半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：