用于半导体封装件的聚酰亚胺膜制造技术

本发明专利技术公开用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其不仅能够通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层的剥离现象，而且由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有回流工艺温度以下的玻璃转化温度，从而可在完成回流工艺之后容易拆卸热塑性聚酰亚胺层。容易拆卸热塑性聚酰亚胺层。容易拆卸热塑性聚酰亚胺层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体封装件的聚酰亚胺膜


[0001]本专利技术涉及用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，更加具体地，涉及如下的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其不仅可通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层的剥离现象，而且由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有封装工艺温度以下的玻璃转化温度，从而在完成封装工艺后，可容易剥离。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺膜的特性具有优异的机械和热尺寸稳定性以及化学稳定性，因而广泛用于电气、电子材料、宇宙、航空和电子通信领域。这种聚酰亚胺膜由于部件的轻薄且短小而被广泛用作具有微细图案的柔性电路基板的材料，例如，带式自动焊接(TAB，Tape Automated Bonding)或覆晶薄膜(COF，Chip On Film)等的基膜。
[0003]并且，正在开发一种具有如下结构的封装件：仅封装半导体封装件的一面(半导体器件)，并且将暴露于另一面的引线框架用于外部连接。具有这种结构的半导体封装件的优点在于，由于引线框架不从封装树脂突出，因而可以实现轻薄且短小化，但是当封装半导体封装件时，容易发生封装树脂渗透到引线框架背面(backside)的缺陷。
[0004]由此，试图尝试通过在封装半导体封装件之前将粘结膜附着于引线框架之后，进行封装工艺，并在封装半导体封装件之后剥离粘结膜，从而防止封装树脂渗透到引线框架背面的问题。
[0005]这种粘结膜通常具有基材膜上层叠有附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层的结构。
[0006]在此情况下，将粘结膜附着到引线框架的背面后进行的封装工艺在相对高温(例如，200℃以上)下进行，因而在封装工艺中，可能发生如下问题：由于热塑性聚酰亚胺层从基材膜剥离或热塑性聚酰亚胺层变性，因而不容易从引线框架剥离。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]在上述
技术介绍
下，本专利技术的目的在于，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其通过减小基材膜与层叠在基材膜上的热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止高温下热塑性聚酰亚胺层的剥离现象。
[0009]并且，本专利技术的目的在于，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其中，由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有封装工艺温度以下的玻璃转化温度，因而在完成封装工艺之后，可容易剥离。
[0010]解决问题的手段
[0011]为了解决上述技术问题，根据本专利技术的一方面，提供用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其包括：基材膜；非热塑性聚酰亚胺层，位于上述基材膜上；以及热塑性聚酰亚胺层，位于上述非热塑性聚酰亚胺层上。
[0012]其中，非热塑性聚酰亚胺层用作平均线性膨胀系数补偿层，上述平均线性膨胀系数补偿层可通过减小基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层从基材膜剥离。
[0013]为了将非热塑性聚酰亚胺层用作基材膜与热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数补偿层，非热塑性聚酰亚胺层与基材膜之间的平均线性膨胀系数之差也应具有较小值，使得其在高温工艺中从基材膜剥离的可能性变小。
[0014]为此，优选地，基材膜与非热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。
[0015]并且，为了减小热塑性聚酰亚胺层从非热塑性聚酰亚胺层剥离的可能性，优选地，非热塑性聚酰亚胺层与上述热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术，通过减小基材膜与层叠在基材膜上的热塑性聚酰亚胺层之间的平均线性膨胀系数之差，从而可防止在高温下热塑性聚酰亚胺层的剥离现象。
[0018]并且，由于附着于引线框架的热塑性聚酰亚胺层具有封装工艺温度以下的玻璃转化温度，从而在完成封装工艺后，可容易剥离。
[0019]并且，当附着于引线框架时，若热塑性聚酰亚胺层与基材膜之间的平均线性膨胀系数之差大，则有可能发生引线框架翘曲现象，因此根据本专利技术，通过引入非热塑性聚酰亚胺层，可以减小平均线性膨胀系数差异，从而可以减小引线框架的翘曲现象或聚酰亚胺膜的剥离现象。
附图说明
[0020]图1简要示出本专利技术一实施例的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜的截面。
具体实施方式
[0021]为了更加便于理解本专利技术，本专利技术中定义特定术语。除非本专利技术中另有定义，否则本专利技术中所使用的科学术语及技术术语具有本专利技术所属
的普通技术人员普遍理解的含义。并且，除非在文脉上专门指定，否则应当理解，单数形式的术语包括其复数形式，并且复数形式的术语还包括其单数形式。
[0022]以下，更加详细地描述本专利技术的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜。
[0023]图1为示出本专利技术一实施例的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜的剖视图。
[0024]参照图1，本专利技术一实施例的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜100包括：基材膜120；非热塑性聚酰亚胺层140，位于基材膜120上；以及热塑性聚酰亚胺层160，位于非热塑性聚酰亚胺层140上。
[0025]其中，优选地，基材膜120是由能够确保耐热性的材质形成的膜，以防止在半导体封装件的制造工艺中施加的高温下发生变性。
[0026]用于形成这种基材膜120的材质包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯之类的树脂。
[0027]用于实现本专利技术一实施例的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜100的基材膜120的
材质也可使用除上述各种树脂之外的材质，优选地，通过使用这些树脂来形成的基材膜120在20℃至200℃温度下具有20ppm/K以下的平均线性膨胀系数。
[0028]当基材膜120在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数大于20ppm/K时，在与引线框架粘结后，因引线框架之间的平均线性膨胀系数之差而可能发生引线框架的翘曲现象(warpage)或存在粘结的聚酰亚胺膜剥离的隐患。
[0029]并且，优选地，基材膜120的玻璃转化温度至少为150℃以上，以确保聚酰亚胺膜100的耐热性。
[0030]基材膜120的厚度没有特别限制，但优选地，具有150μm以下的厚度，以防止在将聚酰亚胺膜100附着于引线框架之后，发生引线框架的毛刺(bur r)。
[0031]并且，为了提高非热塑性聚酰亚胺层140之间的粘结力，与非热塑性聚酰亚胺层140相接触的基材膜120的表面可以经过表面处理。
[0032]这种表面处理是用于改变基材膜120的表面粗糙度的处理，用于改变膜的表面粗糙度的处理方法包括化学处理、物理处理、等离子处理或电晕处理等。
[0033]其中，非热塑性聚酰亚胺层140用作平均线性膨胀系数补偿层，上述平均线性膨胀系数补偿层可通过减小基材膜120与热塑性聚酰亚胺层160之间的平均线性膨胀系数之差来防止热塑性聚酰亚胺层160从基材膜120剥离。
[0034本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，包括：基材膜；非热塑性聚酰亚胺层，位于上述基材膜上；以及热塑性聚酰亚胺层，位于上述非热塑性聚酰亚胺层上，上述基材膜与上述非热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为15ppm/K以下，上述热塑性聚酰亚胺层包含无机填料，相对于100重量份的上述热塑性聚酰亚胺层的树脂，包含5～20重量份的上述无机填料，上述非热塑性聚酰亚胺层在25℃温度下对引线框架的粘结力小于10gf/cm，上述热塑性聚酰亚胺层在25℃温度下对引线框架的粘结力为50gf/cm至200gf/cm。2.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其特征在于，上述非热塑性聚酰亚胺层与上述热塑性聚酰亚胺层在20℃至200℃温度下的平均线性膨胀系数之差为30ppm/K以下。3.根据权利要求1所述的用于半导体封装件的聚酰亚胺膜，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李启雄，金星洙，朴浩荣，李泰硕，
申请(专利权)人：IPI技术株式会社，
类型：发明
国别省市：