碳化硅半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法。从n

【技术实现步骤摘要】
碳化硅半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及一种碳化硅(下文中称为SiC)半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够减小由SiC制成的半导体元件包括的欧姆电极的接触电阻。

技术介绍

[0002]当使用SiC衬底形成诸如垂直功率器件之类的半导体元件时，具有减小的接触电阻的欧姆电极被用作将该器件连接到电路等的电极。特别地，欧姆电极用于衬底背面上的漏电极。
[0003]SiC中的欧姆接触需要在SiC与金属(例如金属硅化物或金属碳化物)之间形成合金层。具体而言，高温处理对其形成至关重要。例如，当形成硅化镍(NiSi)时，需要在900℃或更高温度下进行高温处理。
[0004]在SiC半导体器件的情况下，在正面侧上形成器件结构之后形成背面电极。当通过在高温炉等中高温处理对形成有器件结构的整个晶片进行加工时，会影响正面侧器件结构和特性。因此，通过激光对背面电极进行局部加热。通过利用激光进行该局部加热形成NiSi来提供欧姆电极(例如，参照专利文献1)。
[0005]然而，当通过激光局部加热形成合金层时，合金层被局部形成。此外，Si本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体器件，包括：具有正面(1a)和背面(1b)的碳化硅半导体衬底(1)；和多个欧姆电极(11)，其与在所述碳化硅半导体衬底的所述正面和所述背面中至少一个上的碳化硅表面欧姆接触，其中：所述多个欧姆电极分散在所述碳化硅表面上以提供凹陷和凸起；以及所述凹陷和凸起具有小于1.0μm的因所述欧姆电极导致的高度(H1)。2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中：所述欧姆电极包括NiSi和设置在所述NiSi内部的MoC；以及所述NiSi和所述MoC分散以提供所述凹陷和凸起。3.一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，所述碳化硅半导体器件包括：具有正面(1a)和背面(1b)的碳化硅半导体衬底(1)；和多个欧姆电极(11)，其与在所述碳化硅半导体衬底的所述正面和所述背面中至少一个上的碳化硅表面欧姆接触，所述方法包括：形成由金属材料制成的金属薄膜(110)，用于在所述碳化硅上形成硅化物和碳化物中的至少一种以与所述欧姆电极欧姆接触；和通过在所述金属薄膜上照射激光束(50)执行激光退火使所述金属薄膜与...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村谦太郎，大岳秀和，束原肇，渡边行彦，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：