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气缸测厚仪制造技术

技术编号:28050875 阅读:34 留言:0更新日期:2021-04-14 13:09
本发明专利技术属于机械加工与检测领域,具体涉及气缸测厚仪。气缸位于V形块上,相对于导轨运动。探测杆上的探测头与孔壁接触或与孔壁之间有气膜。光发射装置安装于探测头上,位于孔内或孔外。气缸运动时,探测杆、探测头可绕第一运动副和第二运动副旋转,并引起光斑位置变化。第一运动副、第二运动副分别只有一个旋转自由度。仪器中设有节流阀、定压阀、放大阀,利用了气体连通与反馈的原理。探测杆脱离工件后位于缓冲机构或自然下垂。压缩气体流过探测头气孔和上支撑气孔。仪器光斑稳定、受外部光线强弱变化影响小、检测直径范围广、容易制造。仪器可实现非接触式测量,摩擦磨损小。摩擦磨损小。摩擦磨损小。

【技术实现步骤摘要】
气缸测厚仪


[0001]本专利技术属于机械加工与检测领域,具体涉及气缸测厚仪。

技术介绍

[0002]现有技术检测气缸时,常常需要将百分表、千分表放入气缸内,比较适用于检测直径大的气缸,对于直径较小的气缸,不容易检测。且检测分辨率、精度和自动化程度低。现有检测中,接触式检测方法多,非接触式检测方法少。检测过程中,防止测量工具在孔内的旋转,利于加工误差的方位,对于控制质量是有意义的。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的:设计气缸检测仪器,并针对测量工具在孔内旋转的问题,提供防止旋转的机构,探索非接触式检测,减少摩擦磨损。
[0004]本专利技术通过以下技术创新点实现。
[0005]1.气缸测厚仪,其特征在于:气缸位于V形块上,所测气缸的壁厚H由H1、H2得到;所述的H1是探测头下方气缸内孔的下母线上的点到V形块槽底的距离;所述的H2是探测头下方气缸外圆的下母线上的点到V形块槽底的距离;驱动机构使气缸相对于导轨移动或转动;探测杆上的探测头与孔壁接触;光发射装置安装于探测头上,位于孔内或孔外;当气缸沿导轨运动时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.气缸测厚仪,其特征在于:气缸位于V形块上,所测气缸的壁厚H由H1、H2得到;所述的H1是探测头下方气缸内孔的下母线上的点到V形块槽底的距离;所述的H2是探测头下方气缸外圆的下母线上的点到V形块槽底的距离;驱动机构使气缸相对于导轨移动或转动;探测杆上的探测头与孔壁接触;光发射装置安装于探测头上,位于孔内或孔外;当气缸沿导轨运动时,探测杆、探测头绕第一运动副和第二运动副旋转;探索杆位置的变化引起光发射装置、光线和光接收装置上光斑位置发生变化;运算显示部分对光斑位置信息进行处理;第一运动副可以在孔内或孔外,只有一个旋转自由度;第二运动副只有一个旋转自由度;当探测杆脱离气缸时,位于下支撑、气体、上支撑上,或位于其下方没有气体的物体上,或自然下垂。2.气缸测厚仪,其特征在于:气缸位于V形块上,所测气缸的壁厚H由光斑坐标、气膜厚度h1和H2得到;所述的H2是探测头下方气缸外圆的下母线上的点到V形块槽底的距离;驱动机构使气缸相对于导轨移动或转动;探测杆上的探测头与孔壁之间存在气膜;光发射装置安装于探测头上,位于孔内或孔外;当气缸沿导轨运动时,探测杆、探测头绕第一运动副和第二运动副旋转;探索杆位置的变化引起光发射装置、光线和光接收装置上光斑位置发生变化;运算显示部分对光斑位置信息进行处理;第一运动副可以在孔内或孔外,只有一个旋转自由度;第二运动副只有一个旋转自由度;当探测杆脱离气缸时,位于下支撑、气体、上支撑上,或位于其下方没有气体的物体上,或自然下垂;压缩气体流过探测头气...

【专利技术属性】
技术研发人员:祝锡晶
申请(专利权)人:中北大学
类型:发明
国别省市:

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