MRAM-NAND控制器及其数据写入方法技术

本申请提供一种MRAM-NAND控制器及其数据写入方法。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR-DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器、缓存器与状态寄存器。由于MRAM-NAND控制器的主机接口，采用DDR-DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过缓存，能有效提升与稳定控制器芯片的读/写作业效能，同时调节工作时序以应对现行主机芯片的兼容性问题，有助提升相关产品的适用性。有助提升相关产品的适用性。有助提升相关产品的适用性。

【技术实现步骤摘要】
MRAM-NAND控制器及其数据写入方法


[0001]本申请涉及存储器
，特别是关于MRAM-NAND控制器及其数据写入方法。

技术介绍

[0002]固态硬盘(Solid State Drives，SSD)，简称固盘，采用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
[0003]NAND闪存技术的发展虽然推动了SSD产业，但由于对尺寸的严格要求，现有的手机、平板电脑很难支持SSD。为能扩大技术适用性与提升存储器的读写速度与稳定性，现有方案一般是将DDR内存(Double Data Rate Dynamic Random Access Memory，双倍速率动态随机存储器，为DDR-DRAM的简称)技术结合MRAM(Magnetic random access memory，磁性随机存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MRAM-NAND控制器，其特征在于，包括：嵌入式MRAM、采用DDR-DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器、缓存器与状态寄存器；所述主机接口用于与主机芯片连接；所述缓存器用于暂存所述主机芯片读/写所述嵌入式MRAM的数据；所述微控制器用于取得所述主机芯片的写入数据，并将所述写入数据记载于所述嵌入式MRAM的相对应地址及/或通过所述NAND控制器写入其连接的NAND模块；以及所述状态寄存器用以记载所述缓存器的空间数据，以供所述主机芯片写入数据前，判断是否可以继续写入；所述MRAM-NAND控制器制成在一个硅片上。2.如权利要求1的所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述缓存器为SRAM缓存。3.如权利要求1的所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述写入数据为以页为单位的页数据。4.如权利要求1的所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述NAND控制器为单信道或多信道。5.如权利要求1的所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述MRAM-NAND控制器中还包括DMA控制器，所述DMA控制器分别连接所述嵌入式MRAM与所述NAND控制器。6.如权利要求5的所述MRAM-N...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：