磁性随机存储器的磁性隧道结结构制造技术

本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构包括晶格隔断层的晶格转换多层设计，其强化界面各向异性的特性，同时实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。学和良率的提升以及器件的缩微化。学和良率的提升以及器件的缩微化。

【技术实现步骤摘要】
磁性随机存储器的磁性隧道结结构


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别是关于一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)在具有垂直各向异性(Perpendicular Magnetic Anisotropy；PMA)的磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction；MTJ)中，作为存储信息的自由层，在垂直方向拥有两个磁化方向，即：向上和向下，分别对应二进制中的“0”和“1”或者“1”和“0”，在实际应用中，在读取信息或者空置的时候，自由层的磁化方向会保持不变；在写的过程中，如果与现有状态不相同的信号输入时，则自由层的磁化方向将会在垂直方向上发生一百八十度的翻转。磁随机存储器的自由层磁化方向保持不变的能力叫做数据保存能力(Data Retention)或者是热稳定性(Thermal Stability)，在不同的应用情况中要求不一样，对于一个典型的非易失存储器(Non-volatile Memory，NVM)而言，数据保存能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性隧道结结构，设置于磁性随机存储单元，所述磁性隧道结由上至下结构包括覆盖层、自由层、势垒层、参考层、晶格隔断层、反铁磁层与种子层，其特征在于，所述晶格隔断层包括：垂直各向异性增强层，设置于所述反铁磁层上，由高电负性并且具有面心晶体结构的过渡金属材料或金属氧化物构成；以及晶格过渡层，设置于所述垂直各向异性增强层上，由具有体心晶体结构的过渡金属形成；其中，所述垂直各向异性增强层用以提供额外的界面各向异性来源，所述晶格过渡层实现所述反铁磁层与所述参考层的晶格转换和强铁磁耦合。2.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述垂直各向异性增强层的材料选自铱、铂、钯、氧化镁、氧化铝、镁铝氧化物、氧化锌或镁锌美化物。3.如权利要求2所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述垂直各向异性增强层的厚度为a，0<a≤1.0奈米。4.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述晶格过渡层的材料选自镁、铝、硅、镓、钪、钛、钒、铬、铜、锌、锗、锶、钇、锆、铌、钼、鎝、钌、铟、锡、锑、铪、钽或钨。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云森，郭一民，陈峻，肖荣福，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：