一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版技术

本发明专利技术提供一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版。所述方法包括：获取待监控的半导体工艺及其设计规则；根据所述设计规则设计监控图形，所述监控图形包括产品晶圆上对应于所述半导体工艺的关键图形；制作所述产品晶圆的掩膜版，其中，在制作所述掩膜版的过程中将所述监控图形导入所述产品晶圆的所述掩膜版的切割道区域；制造所述产品晶圆并在制造所述产品晶圆的过程中进行所述产品晶圆的失效分析。根据本发明专利技术，使后续制造的产品晶圆中同时得到各种不同监控工艺的监控图形结构，工作量低、分析效率高；针对同一种工艺，在不同产品上实现监控图形的整体形貌的监控，避免监控产品更改所带来的影响，数据规范统一，可实现工艺长期监控。可实现工艺长期监控。可实现工艺长期监控。

【技术实现步骤摘要】
一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，为了及时、准确及全面的了解生产线状况，通常会选择量大或重要的工艺产品进行定期整体形貌监控。整体形貌监控通常选取晶圆上的管芯分析或选择切割道(又称划片槽scribe line)中的常规的测试图形和WAT(晶圆验收测试Wafer Acceptance Test)的测试图形进行分析。
[0003]在选取晶圆上的管芯进行分析时，往往采用定期挑选目标工艺的产品晶圆，直接分析客户设计的管芯，在管芯中寻找合适的结构图形，每次都尽量找到同样的结构、同样的尺寸的图形进行分析测试，记录数据。如果之前的产品没有合适产品晶圆，就选择同种工艺下不同的产品晶圆进行分析，管芯中如果没有完全一致的结构，就选择相近的结构进行分析测试。在直接分析客户设计的管芯时，由于客户所关注的监控图形和结构，在管芯中肯定存在，但具体位置并不确定，管芯中的结构分布相当复杂，分析技术人员在工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法，其特征在于，包括：获取待监控的半导体工艺及其设计规则；根据所述设计规则设计监控图形，所述监控图形包括产品晶圆上对应于所述半导体工艺的关键图形；制作所述产品晶圆的掩膜版，其中，在制作所述掩膜版的过程中将所述监控图形导入所述产品晶圆的所述掩膜版的切割道区域；制造所述产品晶圆并进行所述产品晶圆的失效分析。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述监控图形包括条状图形和/或孔状图形。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述条状图形的延伸方向与所述切割道的延伸方向垂直，所述条状图形包括有源区、多晶硅栅极、金属条中的至少一种；所述孔状图形包括并列设置的至少两列孔状图形，所述孔状图形包括接触孔、通孔中的至少一种。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设计规则包括套刻规则。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈倩，马如军，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：