硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法技术

本发明专利技术提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec(导带底部的能量)‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；还包括在从上述氢原子的导入到上述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法
本专利技术涉及硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法。
技术介绍
近年来，正在研究评价硅试样的碳浓度(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-191800号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在作为半导体基板使用的硅晶片中，希望降低引起器件特性下降的杂质污染。近年来，作为包含于硅晶片的杂质，碳受到关注，正在研究降低硅晶片的碳污染。为了降低碳污染，评价硅试样的碳浓度，希望基于评价结果，管理硅晶片的制造工序、切出硅晶片的硅单晶锭的制造工序，以降低在制造工序中混入的碳。发现用于评价硅试样的碳浓度新的方法在进行这种工序管理方面是有用的。本专利技术的一种方式的目的在于提供一种用于评价硅试样的碳浓度的新的方法。用于解决技术问题的手段本专利技术的一种方式涉及一种硅试样的碳浓度评价方法(以下也记载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，包括：/n向评价对象硅试样导入氢原子；/n对导入了所述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及/n基于在由所述评价得到的评价结果中与选自由Ec-0.10eV、Ec-0.13eV和Ec-0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价所述评价对象硅试样的碳浓度；/n还包括在从所述氢原子的导入到所述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180903 JP 2018-1645331.一种硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，包括：
向评价对象硅试样导入氢原子；
对导入了所述氢原子的评价对象硅试样进行基于评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法的评价；以及
基于在由所述评价得到的评价结果中与选自由Ec-0.10eV、Ec-0.13eV和Ec-0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价所述评价对象硅试样的碳浓度；
还包括在从所述氢原子的导入到所述评价的期间，进行使用加热手段将评价对象硅试样加热至35℃～80℃范围的加热温度的加热处理。


2.根据权利要求1所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，
对导入了所述氢原子的评价对象硅试样不进行电子线照射处理而进行所述评价。


3.根据权利要求1或2所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，
基于由所述评价得到的评价结果中与Ec-0.15eV的陷阱能级的密度相关的评价结果，进行所述评价对象硅试样的碳浓度的评价。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，
通过将评价对象硅试样浸渍于溶液，进行所述氢原子的导入。


5.根据权利要求4所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，
所述溶液是含有HF的溶液。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅试样的碳浓度评价方法，其特征在于，
所述评价法是DLTS法。

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【专利技术属性】
技术研发人员：大户贵史，江里口和隆，三次伯知，佐俣秀一，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP