一种超低功耗的电源动态比较器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种超低功耗的电源动态比较器，属于集成电路技术领域。该超低功耗的电源动态比较器包括前置放大器电路、交叉耦合器电路和再生锁存器电路，其中，前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；交叉耦合器电路包括第八晶体管和第九晶体管；再生锁存器包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管和第十七晶体管。本发明专利技术能够防止比较器对较小的差分输入信号完全放电，能够减少能量的消耗，提高了比较器的工作效率，且能够节省面积。

【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗的电源动态比较器电路
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种超低功耗的电源动态比较器电路。
技术介绍
现有的电源动态比较器前置放大器输出节点电容在完成信号放大后会将电容中的电完全放电到地。再次进行工作时，输出节点电容必须重新充电到工作电压，这就造成了能量浪费，消耗了电能。现有技术虽然能通过双尾锁存器实现电源动态比较的功能，但能耗大需求能量较高，不符合节能的要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术主要提供一种超低功耗的电源动态比较器电路。为了解决上述问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种超低功耗的电源动态比较器电路包括，前置放大器电路，前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；交叉耦合器电路，交叉耦合器件电路包括第八晶体管和第九晶体管；其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的栅极连接第一时钟信号，源极连接电源，第一晶体管的漏极连接第五晶体管的漏极，第二晶体管的漏极连接第六晶体管的漏极，第三晶体管的漏极连接第八晶体管的漏极，第四晶体管的漏连接第九晶体管的漏极；第五晶体管的栅极连接第一输入信号，第五晶体管的源极连接第八晶体管的漏极；第六晶体管的栅极连接第二输入信号，第六晶体管的源极连接第九晶体管的漏极；第七晶体管的漏极连接第八晶体管和第九晶体管的源极，第七晶体管的源极接地，第七晶体管的栅极连接第一时钟信号；第一输出节点电容的一端连接到第一晶体管的漏极并且连接到再生锁存器第一端，第一输出节点电容的另一端接地；第二输出节点电容的一端连接到第二晶体管的漏极且连接到再生锁存器第二端，第二输出节点电容的另一端接地；第八晶体管的栅极连接所述第六晶体管的漏极，第九晶体管的栅极连接第五晶体管的漏极。本专利技术的技术方案可以达到的有益效果是：本专利技术设计了一种超低功耗的电源动态比较器电路。该超低功耗的电源动态比较器针对输入的差分信号进行简单的交叉耦合，能够防止比较器内部节点对较低差分输入信号完全放电，能够减少能量的消耗，提高工作效率，节省面积，降低成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一种超低功耗的电源动态比较器电路的一个具体实施方式的示意图；图2是本专利技术一种超低功耗的电源动态比较器电路的一个具体实施例的示意图；附图2中的各部件标记如下：M1-第一晶体管，M2-第二晶体管，M3-第三晶体管，M4-第四晶体管，M5-第五晶体管，M6-第六晶体管，M7-第七晶体管，M8-第八晶体管，M9-第九晶体管，M10-第十晶体管，M11-第十一晶体管，M12-第十二晶体管，M13-第十三晶体管，M14-第十四晶体管，M15-第十五晶体管，M16-第十六晶体管，M17-第十七晶体管，CP1-第一输出节点电容，CP2-第二输出节点电容，Clk-第一时钟信号，Clkb-第二时钟信号。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。图1示出了本专利技术一种超低功耗的电源动态比较器电路的一个具体实施方式。在该具体实施方式中，本专利技术一种超低功耗的电源动态比较器电路主要包括前置放大器电路，前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；交叉耦合器电路，交叉耦合器件电路包括第八晶体管和第九晶体管；其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的栅极连接第一时钟信号，源极连接电源，第一晶体管的漏极连接第五晶体管的漏极，第二晶体管的漏极连接第六晶体管的漏极，第三晶体管的漏极连接第八晶体管的漏极，第四晶体管的漏连接第九晶体管的漏极；第五晶体管的栅极连接第一输入信号，第五晶体管的源极连接第八晶体管的漏极；第六晶体管的栅极连接第二输入信号，第六晶体管的源极连接第九晶体管的漏极；第七晶体管的漏极连接第八晶体管和第九晶体管的源极，第七晶体管的源极接地，第七晶体管的栅极连接第一时钟信号；第一输出节点电容的一端连接到第一晶体管的漏极并且连接到再生锁存器第一端，第一输出节点电容的另一端接地；第二输出节点电容的一端连接到第二晶体管的漏极且连接到再生锁存器第二端，第二输出节点电容的另一端接地；第八晶体管的栅极连接所述第六晶体管的漏极，第九晶体管的栅极连接第五晶体管的漏极。在本专利技术的一个具体实施例中，加入第三晶体管和第四晶体管有利于电路的稳定性；增加交叉耦合器能加快预放大的速度，但只增加交叉耦合器，虽然能减少一部分的功耗，但会影响电路的响应速度和稳定性。该具体实施方式，通过合理设置晶体管之间的连接关系，能够减少能量消耗，提高工作效率，节省面积，降低成本，增加交叉耦合器能加快预放大的速度。在该具体实施方式中，本专利技术一种超低功耗的电源动态比较器电路还包括，再生锁存器电路，再生锁存器电路包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管和第十六晶体管，其中，第十二晶体管和第十三晶体管的源极连接电源，第十二晶体管的栅极连接第十四晶体管的栅极，第十二晶体管的漏极连接第十晶体管的源极；第十三晶体管的栅极连接第十五晶体管的栅极，第十三晶体管的漏极连接第十一晶体管的的源极；第十晶体管的栅极连接第一输出节点电容，第十晶体管的源极连接第十二晶体管的漏极，第十晶体管的漏极和第十四晶体管的漏极、第十六晶体管的漏极以及第十三晶体管的栅极和第十五晶体管的栅极互连；第十一晶体管的栅极连接第二输出节点的电容，第十一晶体管的源极连接第十三晶体管的漏极，第十一晶体管的的漏极连接第十五晶体管的漏极、第十七晶体管的漏极以及第十二晶体管和第十四晶体管的栅极；第十六晶体管的栅极连接第二时钟信号，第十六晶体管的漏极连接第十晶体管和第十四晶体管的漏极以及第十三和第十五晶体管的栅极，第十六晶体管的源极连接第十四晶体管、第十五晶体管、第十七晶体管的源极；第十四晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，包括：/n前置放大器电路，所述前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；/n交叉耦合器电路，所述交叉耦合器件电路包括第八晶体管和第九晶体管；/n其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极连接第一时钟信号，源极连接电源，所述第一晶体管的漏极连接所述第五晶体管的漏极，所述第二晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极连接所述第八晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏连接所述第九晶体管的漏极；所述第五晶体管的栅极连接第一输入信号，所述第五晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极；所述第六晶体管的栅极连接第二输入信号，所述第六晶体管的源极连接所述第九晶体管的漏极；所述第七晶体管的漏极连接所述第八晶体管和所述第九晶体管的源极，所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极连接第一时钟信号；所述第一输出节点电容的一端连接到所述第一晶体管的漏极并且连接到再生锁存器第一端，所述第一输出节点电容的另一端接地；所述第二输出节点电容的一端连接到所述第二晶体管的漏极且连接到再生锁存器第二端，所述第二输出节点电容的另一端接地；所述第八晶体管的栅极连接所述第六晶体管的漏极，所述第九晶体管的栅极连接所述第五晶体管的漏极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，包括：
前置放大器电路，所述前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；
交叉耦合器电路，所述交叉耦合器件电路包括第八晶体管和第九晶体管；
其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极连接第一时钟信号，源极连接电源，所述第一晶体管的漏极连接所述第五晶体管的漏极，所述第二晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极连接所述第八晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏连接所述第九晶体管的漏极；所述第五晶体管的栅极连接第一输入信号，所述第五晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极；所述第六晶体管的栅极连接第二输入信号，所述第六晶体管的源极连接所述第九晶体管的漏极；所述第七晶体管的漏极连接所述第八晶体管和所述第九晶体管的源极，所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极连接第一时钟信号；所述第一输出节点电容的一端连接到所述第一晶体管的漏极并且连接到再生锁存器第一端，所述第一输出节点电容的另一端接地；所述第二输出节点电容的一端连接到所述第二晶体管的漏极且连接到再生锁存器第二端，所述第二输出节点电容的另一端接地；所述第八晶体管的栅极连接所述第六晶体管的漏极，所述第九晶体管的栅极连接所述第五晶体管的漏极。


2.如权利要求1所述的超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，还包括：
再生锁存器电路，所述再生锁存器电路包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管和第十六晶体管，其中，所述第十二晶体管和所述第十三晶体管的源极连接电源，所述第十二晶体管的栅极连接所述第十四晶体管的栅极，所述第十二晶体管的漏极连接所述第十晶体管的源极；所述第十三晶体管的栅极连接所述第十五晶体管的栅极，所述第十三晶体管的漏极连接所述第十一晶体管的的源极；所述第十晶体管的栅极连接所述第一输出节点电容，所述第十晶体管的源极连接所述第十二晶体管的漏极，所述第十晶体管的漏极和所述第十四晶体管的漏极、所述第十六晶体管的漏极以及所述第十三晶体管的栅极和所述第十五晶体管的栅极互连；所述第十一晶体管的栅极连接所述第二输出节点的电容，所述第十一晶体管的源极连接所述第十三晶体管的漏极，所述第十一晶体管的的漏极连接所述第十五晶体管的漏极、所述第十七晶体管的漏极以及所述第十二晶体管和所述第十四晶体管的栅极；所述第十六晶体管的栅极连接第二时钟信号，所述第十六晶体管的漏极连接所述第十晶体管和所述第十四晶体管的漏极以及所述第十三和所述第十五晶体管的栅极，所述第十六晶体管的源极连接所述第十四晶体管、所述第十五晶体管、所述第十七晶体管的源极；所述第十四晶体管的漏极连接所述第十晶体管和所述第十六晶体管的漏极、第十三晶体管和第十五晶体管的栅极，所述第十四晶体管的栅极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏杰，李孙华，徐祎喆，朱勇，
申请(专利权)人：重庆百瑞互联电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50