一种半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层，第一外延生长层和第二外延生长层为电流阻挡层，衬底层在第一外延生长层和第二外延生长层之间的部分为通道区，第一外延生长层、第二外延生长层与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行。通过第一外延生长层和第二外延生长层的电流阻挡作用，使得电流的扩散区域以及电流的流经路径得到有效控制，进而提高器件的电光转换效率。同时，平整的衬底层可以在形成平整的功能层时，无需额外的工艺处理即可直接生长形成平整功能层，有效提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
半导体器件是用半导体材料作为工作物质的激光器，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。但随着科技的进步，对于半导体器件也有了更高的需求。现有半导体器件通常采用叠层半导体器件外延结构，但是由于其对于导通电流没有进行有效控制，进而使得电光转换效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件的制备方法，以改善现有半导体器件因电流扩散导致电光转换效率较低的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：本专利技术实施例的一方面，提供一种半导体器件的制备方法，方法包括：在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，衬底层在第一电流阻挡区和第二电流阻挡区之间的部分为通道区，其中，第一电流阻挡区、第二电流阻挡区与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行；在形成有第一电流阻挡区、通道区和第二电流阻挡区的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，所述衬底层在所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的部分为通道区，其中，所述第一电流阻挡区、所述第二电流阻挡区与所述通道区的顶面位于同一平面，所述平面与所述衬底层的底面平行；/n在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上形成平整功能层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，所述衬底层在所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的部分为通道区，其中，所述第一电流阻挡区、所述第二电流阻挡区与所述通道区的顶面位于同一平面，所述平面与所述衬底层的底面平行；
在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上形成平整功能层。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上形成平整功能层包括：
在形成有所述第一电流阻挡区、所述通道区和所述第二电流阻挡区的所述衬底层上依次形成平整下包层、下限制层、量子阱、上限制层、上包层和欧姆接触层。


3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，所述衬底层在所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的部分为通道区包括：
在所述衬底层上形成间隔位于所述通道区两侧的所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区。


4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底层形成第一电流阻挡区和第二电流阻挡区，所述衬底层在所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区之间的部分为通道区包括：
在所述衬底层上形成绕设于所述通道区的外周且相互连接的所述第一电流阻挡区和所述第二电流阻挡区。


5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，唐松，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32