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本发明提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层，第一外延生长层和第二外延生长层为电流阻挡层，衬底层在第一外延生长层和第二外延生长层之间的部分为通道区，第一外延生长层、第...
该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。

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