一种半导体激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器及其制备方法。其中，半导体激光器包括衬底、以及依次设置于衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源层、上波导层、上光场限制层和上接触层，上接触层远离衬底的一侧设置有第一电极，衬底远离上接触层的一侧设置有第二电极，半导体激光器还包括电流阻挡区和至少一个电流注入区，电流注入区沿半导体激光器的腔长方向排成一列，且电流注入区与光场强度的峰值区对应设置。本发明专利技术提供的半导体激光器及其制备方法，提高了半导体激光器的电光转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器及其制备方法
本专利技术实施例涉及半导体光电
，尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法。
技术介绍
半导体激光器自上世纪六十年代专利技术以来因其小尺寸、高效率、低成本以及高可靠性等优点受到产业界和学术界的广泛关注。其中，分布式反馈(DistributedFeedbackLaser，DFB)激光器具有很好的单模特性，且调制速率高，因此成为了光纤通信的常用半导体光源。随着信息时代和能源时代的发展，人们对DFB激光器的输出功率、电光转化效率和调制速率等器件性能提出了更高的要求。现有DFB激光器采用对脊形结构进行均匀电流注入的方法，部分电流与激光器内传输的光波峰值重叠，光反馈作用很强；然而还有部分电流与激光器内传输的光波谷值重叠，光反馈作用有限，因此DFB激光器的阈值电流较大，电光转换效率较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体激光器及其制备方法，以提高半导体激光器的电光转换效率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体激光器，包括衬底、以及依次设置于所述衬底一侧的缓冲层、下光场限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、以及依次设置于所述衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源层、上波导层、上光场限制层和上接触层；/n所述上接触层远离所述衬底的一侧设置有第一电极；所述衬底远离所述上接触层的一侧设置有第二电极；/n所述半导体激光器还包括电流阻挡区和至少一个电流注入区，所述电流注入区沿所述半导体激光器的腔长方向排成一列，且所述电流注入区与光场强度的峰值区对应设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、以及依次设置于所述衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源层、上波导层、上光场限制层和上接触层；
所述上接触层远离所述衬底的一侧设置有第一电极；所述衬底远离所述上接触层的一侧设置有第二电极；
所述半导体激光器还包括电流阻挡区和至少一个电流注入区，所述电流注入区沿所述半导体激光器的腔长方向排成一列，且所述电流注入区与光场强度的峰值区对应设置。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述缓冲层、所述下光场限制层、所述下波导层、所述有源层、所述上波导层、所述上光场限制层和所述上接触层的材料为Alx1Iny1Ga1-x1-y1Asx2Py2N1-x2-y2，其中，0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤(x1+y1)≤1，0≤(x2+y2)≤1。


3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述电流阻挡区采用离子注入的方法形成。


4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，离子注入的方法中所注入的离子包括H、N、Ar、He、Si、C、Cl、F和O中的任意一种或多种。


5.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述上光场限制层远离衬底的一侧设置有电流阻挡层，所述电流阻挡区由所述电流阻挡层形成。


6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为Alx3Iny3Ga1-x3-y3Asx4Py4N1-x4-y4，其中，0≤x3≤1，0≤y3≤1，0≤x4≤1，0≤y4≤1，0≤(x3+y3)≤1，0≤(x4+y4)≤1，且所述Alx3Iny3Ga1-x3-y3Asx4Py4N1-x4-y4的电阻大于所述Alx1Iny1Ga1-x1-y1Asx2Py2N1-x2-y2的电阻。


7...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝明，王涛，高磊，张峰，
申请(专利权)人：因林光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32