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本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法。其中，半导体激光器包括衬底、以及依次设置于衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源层、上波导层、上光场限制层和上接触层，上接触层远离衬底的一侧设置有第一电极，衬底远离上接触层的一侧设置有第二电...
该专利属于因林光电科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过因林光电科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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