电绝缘竖直发射装置制造方法及图纸

一种装置包括基板、在基板顶部的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列、穿过基板和VCSEL阵列的过孔、从VCSEL阵列的顶部穿过过孔延伸到基板底部的第一电极(第一电极电连接到VCSEL阵列)、在基板底部的第二电极(第二电极电连接到VCSEL阵列)、以及在过孔中的绝缘部，其提供第一电极和第二电极之间的电绝缘。

【技术实现步骤摘要】
电绝缘竖直发射装置相关申请本申请要求2019年6月10日提交的美国临时申请第62/859,501号的优先权，其名称为“VIASFORTOP-EMITTINGVERTICALCAVITYSURFACEEMITTINGLASER(VCSEL)EMITTERS”，其全部内容通过引用结合于此。
本公开涉及竖直发射装置的电绝缘，更具体地，涉及使用绝缘部来使竖直发射装置电绝缘。背技术景诸如竖直腔表面发射激光器(VCSEL)的竖直发射装置可以包括激光器、光发射器和/或类似物，其中光束在竖直于基板表面的方向上发射(例如，从半导体晶片的表面竖直发射)。多个竖直发射装置可以布置在公共基板上的一个或多个发射器阵列(例如，VCSEL阵列)中。
技术实现思路
根据一些实施方式，装置包括：基板；在基板顶部的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列；穿过基板和VCSEL阵列的过孔；从VCSEL阵列的顶部穿过过孔延伸到基板底部的第一电极，第一电极电连接到VCSEL阵列；在基板底部的第二电极，第二电极电连接到VCSEL阵列；以及在过孔中的绝缘部，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括:/n基板；/n所述基板的顶部的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列；/n穿过所述基板和VCSEL阵列的过孔；/n第一电极，从所述VCSEL阵列的顶部穿过所述过孔延伸到所述基板的底部，所述第一电极电连接到所述VCSEL阵列；/n所述基板的底部上的第二电极，所述第二电极电连接到VCSEL阵列；和/n在所述过孔中的绝缘部，所述绝缘部提供所述第一电极和所述第二电极之间的电绝缘。/n

【技术特征摘要】
20190610 US 62/859,501;20190930 US 16/587,5651.一种装置，包括:
基板；
所述基板的顶部的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列；
穿过所述基板和VCSEL阵列的过孔；
第一电极，从所述VCSEL阵列的顶部穿过所述过孔延伸到所述基板的底部，所述第一电极电连接到所述VCSEL阵列；
所述基板的底部上的第二电极，所述第二电极电连接到VCSEL阵列；和
在所述过孔中的绝缘部，所述绝缘部提供所述第一电极和所述第二电极之间的电绝缘。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘部穿过所述过孔沿着所述VCSEL阵列的一侧和所述基板的一侧并在所述基板底部的一部分上延伸。


3.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘部沿着与所述过孔相邻的所述基板的一侧的一部分和所述VCSEL阵列的一侧延伸。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述绝缘部包括在与所述过孔相邻的所述基板的一侧的至少一部分和所述VCSEL阵列的一侧内的注入物。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电极位于所述VCSEL阵列和所述基板之间，并且延伸穿过第二过孔到所述基板的底部。


6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括:
基板底部上的所述第一电极和所述第二电极之间的间隙。


7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电极是阳极；和
其中所述第二电极是阴极。


8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电极是所述VCSEL阵列的所有发射器的共享电极。


9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电极是所述VCSEL阵列的所有发射器的公共电极。


10.一种装置，包括:
非导电的基板；
所述基板的顶部上的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列；
穿过所述基板和VCSEL阵列的第一过孔；
穿过所述基板和VCSEL阵列的第二过孔；
第一电极，从VCSEL阵列的顶部延伸穿过所述第一过孔到所述基板的底部，所述第一电极电连接到VCSEL阵列；
第二电极，从VCSEL阵列的顶部延伸穿过所述第二过孔到所述基板的底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：MG彼得斯，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US