一种阵列基板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板；若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。本申请实施例的有益效果在于，纵横交错的辅助电极能够传输阵列基板边缘处输入的电信号，阴极通过分散在辅助电极各区域的通孔连接，使得各区域的阴极连接的电信号相同或趋于一致，有效降低电阻压降，阴极通过辅助电极传输电信号，所以阴极的厚度可以进一步减薄，从而提升了阵列基板的出光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及OLED领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
随着OLED技术的发展，器件开发的路线逐渐趋于明朗，有机发光二极管显示面板包括阵列分布的薄膜晶体管和发光单元。发光单元两侧设有阳极层和因基层，所述阳极层包括多个阳极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极一一对应连接。阴极设于发光单元远离薄膜晶体管的一侧表面，在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，为保证出光强度，阴极厚度需要控制在几十纳米范围内，这会导致单位面积的阴极电极较高，由于阴极是通过面板四周给电，从而导致面板四周和中心流过器件电流不一致，面板电阻压降(IR-Drop)严重，特别在大尺寸中更是没法避免，从而降低显示面板的画面质量。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，可以解决现有技术中，采用阴极直接接通电源，从而使得显示面板四周和中心的电流不一致，导致显示面板压降严重的技术问题。本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括阳极，所述阳极连接至对应的薄膜晶体管单元，所述发光单元设于所述阳极上。可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极与所述阳极同层设置，且与所述阳极绝缘。<br>可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括像素定义层，覆盖所述阳极和所述辅助电极，其中，所述像素定义层对应所述阳极设有第一通孔，所述第一通孔用以容纳所述发光单元；所述像素定义层对应所述辅助电极设有第二通孔，所述第二通孔用以给所述阴极提供通道。可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极纵横交错分布，包括若干交叉重叠区，第二通孔对应所述交叉重叠区。可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括绝缘层，设于所述薄膜晶体管单元与所述发光单元之间，所述发光单元贯穿所述绝缘层并连接至所述薄膜晶体管单元。可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极的一端或两端连接至一覆晶薄膜。相应的，本申请实施例还提供所述阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备若干辅助电极，每一辅助电极设于相邻两个发光单元之间；在所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面制备阴极，所述阴极连接至所述发光单元和所述辅助电极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述制备方法具体包括：在衬底基板上制备若干薄膜晶体管单元；在所述薄膜晶体管单元上制备绝缘层；在所述绝缘层上制备阳极和辅助电极，所述阳极和所述辅助电极间隔设置；在所述绝缘层上制备像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极和所述辅助电极；在所述像素定义层上刻蚀若干第一通孔和若干第二通孔，其中，所述第一通孔对应所述阳极，所述第二通孔对应所述辅助电极；在所述第一通孔内制备发光单元，所述发光单元连接至所述阳极；在所述像素定义层远离所述绝缘层的一侧表面制备阴极，所述阴极覆盖所述第一通孔的内侧壁并连接至所述发光单元，所述阴极覆盖所述第二通孔内侧壁并连接至所述辅助电极。可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极和所述阳极采用同一光罩同时形成。本申请实施例中的阵列基板及其制备方法中，纵横交错的辅助电极能够传输阵列基板边缘处输入的电信号，阴极通过分散在辅助电极各区域的通孔连接，使得各区域的阴极连接的电信号相同或趋于一致，有效降低电阻压降，同时由于阴极通过辅助电极传输电信号，故阴极本身的电阻对其传输的电流影响不大，所以阴极的厚度可以进一步减薄，从而提升了阵列基板的出光效果，同时阴极和辅助电极采用同一光罩同时制备成型，简化了制备流程，节约了制备成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板结构示意图；图2是本申请实施例提供的像素定义层凹槽结构示意图；图3是相关技术中的阴极电路示意图；图4是本申请实施例提供的辅助电极电路示意图；图5是本申请实施例提供的绝缘层结构示意图；图6是本申请实施例提供的导电材料结构示意图；图7是本申请实施例提供的辅助电极和阳极结构示意图；图8是本申请实施例提供的像素定义层结构示意图；图9是本申请实施例提供的发光单元结构示意图。附图标记说明：衬底基板100；薄膜晶体管单元200；绝缘层300；阳极400；辅助电极500、500a；像素定义层600；发光单元700；阴极800、800a；细长条状电极501；重叠区502；第一通孔601；第二通孔602。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法。以下进行详细说明。实施例如图1所示，本实施例中，本专利技术的阵列基板包括衬底基板100、薄膜晶体管单元200、绝缘层300、阳极400、辅助电极500、像素定义层600、发光单元700以及阴极800。衬底基板100为硬质基板，一般为玻璃基板，起到支撑作用及衬底作用。薄膜晶体管单元200设于所述衬底基板100的一侧表面，薄膜晶体管单元200(Thin-filmtransistor，TFT)是场效应晶体管的种类之一，薄膜晶体管单元200起到单个开关的作用，可以主动驱动每个发光单元400，从而精准控制单颗发光单元200的明暗开合。绝缘层300设于薄膜晶体管单元200远离衬底基板100的一侧，相邻薄膜晶体管单元200之间以及薄膜晶体管单元200中各部件之间也设有绝缘层，用以防止薄膜晶体管单元200内部或相邻薄膜晶体管单元200发生短路现象。阳极400设于所述绝缘层300远离薄膜晶体管单元200的一侧，其中，每一阳极400对应一薄膜晶体管单元200，且每一阳极400部分贯穿绝缘层3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；/n若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；/n若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；以及/n阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
若干薄膜晶体管单元，间隔设于所述衬底基板的一侧表面；
若干发光单元，每一发光单元对应并连接至一薄膜晶体管单元；
若干辅助电极，设于两个所述发光单元之间；以及
阴极，设于所述发光单元远离所述薄膜晶体管单元的一侧表面，且连接所述辅助电极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阳极，所述阳极连接至对应的薄膜晶体管单元，所述发光单元设于所述阳极上。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助电极与所述阳极同层设置，且与所述阳极绝缘。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括
像素定义层，设于所述阳极和所述辅助电极上，其中，
所述像素定义层对应所述阳极设有第一通孔，所述第一通孔用以容纳所述发光单元；
所述像素定义层对应所述辅助电极设有第二通孔，所述第二通孔用以给所述阴极提供通道。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述辅助电极纵横交错分布，包括若干交叉重叠区，第二通孔对应所述交叉重叠区。


6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
绝缘层，设于所述薄膜晶体管单元与所述发光单元之间，所述发光单元贯穿所述绝缘层并连接至所述薄膜晶体管单元。


7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44