【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置和近眼显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种有机发光显示装置和一种近眼显示装置。
技术介绍
现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型有机发光显示装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。微型硅基OLED显示装置，因其像素尺寸特别小，会造成相邻像素单元串扰的问题。如图1所示，为现有技术中一种微型硅基OLED显示装置的示意图，包括基板10，该基板10包括多个像素单元，图中示出了两个像素单元U1和U2，每个像素单元包括设置于基板10上的阳极11，设置于阳极11上层并位于各像素单元U1、U2之间的像素定义层12，该像素定义层12由于刻蚀工艺而形成缓坡状的形态。形成在像素定义层12上的空穴注入层13、空穴传输层14、电子阻挡层15，该空穴注入层13、空穴传输层14、电子阻挡层15都是在各像素单元区域间为相连的连接结构。设置在各像素单元区域内的有机发光层19，设置在有机发光层19上的空穴阻挡层16，设置在空穴阻挡层16上的电子传输层17，设置在电子传输层17上的...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括阵列基板，设置于所述阵列基板之上的多个有机发光显示单元，所述有机发光显示单元包括阳极，围绕所述阳极设置有像素定义层；/n所述像素定义层包括远离所述阳极一侧的第一侧面，所述第一侧面包括第一台阶部和第二屋檐部；所述第二屋檐部在所述阵列基板上的投影落入所述第一台阶部在所述阵列基板上的投影内；/n设置于所述像素定义层上层的有机发光层，所述有机发光层中靠近所述像素定义层的第一部分膜层在所述第一台阶部和第二屋檐部之间断开，所述有机发光层中远离所述像素定义层的第二部分膜层在所述多个有机发光显示单元之间形成连续结构；/n设置于所述有机发光层上层的阴...
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括阵列基板，设置于所述阵列基板之上的多个有机发光显示单元，所述有机发光显示单元包括阳极，围绕所述阳极设置有像素定义层；
所述像素定义层包括远离所述阳极一侧的第一侧面，所述第一侧面包括第一台阶部和第二屋檐部；所述第二屋檐部在所述阵列基板上的投影落入所述第一台阶部在所述阵列基板上的投影内；
设置于所述像素定义层上层的有机发光层，所述有机发光层中靠近所述像素定义层的第一部分膜层在所述第一台阶部和第二屋檐部之间断开，所述有机发光层中远离所述像素定义层的第二部分膜层在所述多个有机发光显示单元之间形成连续结构；
设置于所述有机发光层上层的阴极层，所述阴极层在所述多个有机发光显示单元之间形成连续结构。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一台阶部具有第一顶面和第一底面，所述第一底面向远离所述阳极一侧的方向延伸，所述第一顶面和所述第一底面之间具有第一倾斜面。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一底面和所述第一顶面之间的高度差为20至50nm；所述第一倾斜面和所述第一底面之间的夹角为30°至60°；所述第一顶面的宽度为60nm至160nm，所述第一底面的宽度大于等于200nm。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二屋檐部具有第二底面，所述第二底面向靠近所述阳极一侧的方向延伸，所述第二屋檐部还包括所述像素定义层的顶面和所述第二底面之间的第二倾斜面；所述第二屋檐部还包括设置于所述第二底面下方的侧壁。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二底面和所述像素定义层的顶面之间的高度差为30nm至60nm；所述第二倾斜面和所述第二底面之间的夹角为30°至60°；所述侧壁的高度为20至50nm。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一台阶部具有第一顶面和第一底面，所述第一底面向远离所述阳极一侧的方向延伸，所述第一顶面和所述第一底面之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾铁，曾章和，居宇涵，
申请(专利权)人：合肥视涯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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