具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法，其中该具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板包含：一基板；一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该数个微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。据此达到提升像素清晰度与对比度的技术功效。

【技术实现步骤摘要】
具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术是关于一种微发光二极管技术，特别是关于一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
微发光二极管显示器(MicroLightEmittingDiodeDisplay,μLED)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射组件的新世代显示器。此技术是将LED薄膜化、微小化、数组化至单一LED，尺寸仅在1～10μm等级，再将μLED批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与晶体管、上电极、保护层等等共同构成微发光二极管显示器所需的μLED面板。μLED具有自发光、低功耗、响应时间快、高亮度、超高对比度、广色域、广视角、超轻薄、使用寿命长与适应各种工作温度的诸多优异特性，μLED的技术规格相较于LCD与OLED具有压倒性的优势。然而，μLED于晶粒巨量移转并贴合至含电极的基板之后，在个别晶粒发光过程中会有侧向光与散色的问题，这两个状况均可能会导致像素不清晰、对比度降低等问题。如图1A、1B所示，其分别为已知技术μLED于晶粒巨量移转后的上视本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，包含：/n一基板；/n一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；/n数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及/n一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该数个微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。/n

【技术特征摘要】
1.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，包含：
一基板；
一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；
数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及
一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该数个微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。


2.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层的厚度相等于该电极层与该微发光二极管所加起来的厚度。


3.如权利要求2所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层上方为粗糙化。


4.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层的厚度相较于该电极层与该微发光二极管所加起来的厚度为薄，且该黑矩阵防散色层的厚度小于5um且大于1um。


5.如权利要求4所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层上方为粗糙化。


6.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层所构成的该像素空间的宽度大于该微发光二极管的宽度至多20um。


7.如权利要求1所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，其特征在于，该黑矩阵防散色层所构成的该像素空间的宽度大于该微发光二极管的宽度至少10um，至多20um。


8.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包含：
于完成巨量转移的一微发光二极管基板上形成一负型光阻层；
以一光罩对该负型光阻层进行曝光，曝光部位为该微发光二极管基板中数个微发光二极管之间的间隔处；
移除未被曝光的该负型光阻层，被曝光的该负型光阻层构成一黑矩阵结构；及
固化该黑矩阵结构。


9.如权利要求8所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度相等于该微发光二极管的高度。


10.如权利要求8所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该负型光阻层的厚度小于该微发光二极管的高度，该负型光阻层的厚度小于5um且大于1um。


11.如权利要求10所述的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，于曝光步骤后，还包含：
粗糙化该负型光阻层。


12.一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：许铭案，林佳慧，林文福，
申请(专利权)人：恒煦电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71