具量子点的画素基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具量子点的画素基板及其制作方法，其中该具量子点的画素基板包含：一透明基板；一黑矩阵层，形成于该透明基板的表面，并定义数个像素空间；数个量子点胶层，个别形成于该数个像素空间中；及其中，该黑矩阵层由负型光阻材料硬化制作而成，且构成倒梯形或漏斗形结构，而使该些像素空间构成一正梯形或倒漏斗形的碗状结构。据此可简化量子点所构成的像素基板的制程与其结构。

【技术实现步骤摘要】
具量子点的画素基板及其制作方法
本专利技术是关于一种量子点技术，特别是关于一种具量子点的画素基板及其制作方法。
技术介绍
量子点(QuantumDots)作为平面显示器技术的应用材料已经成为下一代显示技术的热点。量子点有以下的特色，其转换光谱可随尺寸调整(通过调整量子点的纳米晶体大小，尺寸在1～20nm之间)、发光效率高、发光稳定性好等光学性能。并且，量子点大多为无机化合物，其性能稳定，具有耐久性佳的特色。使得量子点技术成为下一代显示技术的关注重点。目前，已经有厂商发展出量子点发光二极管(QuantumDotsLightEmittingDiodes,QD-LEDs)、量子点有机发光二极管(QuantumDotsOrganicLightEmittingDiodes,QD-LEDs)等显示技术。目前的发展，主要是利用发光二极管或有机发光二极管的发光来作为量子点的光源，让其转换到想要发光的频谱。无论是哪一种应用手段，由于量子点的制程技术与发光二极管或有机发光二极管的制程大不相同，因此，由量子点所构成的像素基板的制作，目前尚须与两者的制程分开。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具量子点的画素基板，其特征在于，包含：/n一透明基板；/n一黑矩阵层，形成于该透明基板的表面，并定义数个像素空间；/n数个量子点胶层，个别形成于该数个像素空间中；及/n其中，该黑矩阵层由负型光阻材料硬化制作而成，且构成倒梯形或漏斗形结构，而使该数个像素空间分别构成一正梯形或倒漏斗形的碗状结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种具量子点的画素基板，其特征在于，包含：
一透明基板；
一黑矩阵层，形成于该透明基板的表面，并定义数个像素空间；
数个量子点胶层，个别形成于该数个像素空间中；及
其中，该黑矩阵层由负型光阻材料硬化制作而成，且构成倒梯形或漏斗形结构，而使该数个像素空间分别构成一正梯形或倒漏斗形的碗状结构。


2.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至40um之间。


3.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至30um之间。


4.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的厚度介于3um至20um之间。


5.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的倒梯形或漏斗形结构与该透明基板的一夹角的角度介于45至90度之间。


6.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该黑矩阵层的倒梯形或漏斗形结构与该透明基板的一夹角的角度介于60至85度之间。


7.如权利要求2或3所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层的厚度小于该黑矩阵层的厚度，且介于1um~15um之间。


8.如权利要求2或3所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层的厚度小于该黑矩阵层的厚度，且介于1um~9um之间。


9.如权利要求1所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层包含了数组量子点胶，且其中具有相同光转换率的量子点胶的量子点胶层厚度相同，具有不同光转换效率的量子点胶的量子点胶层厚度不同。


10.如权利要求9所述的具量子点的画素基板，其特征在于，该数个量子点胶层中，具有高光转换效率的该量子点胶层的厚度小于具有低光转换效率的该量子点胶层的厚度。


11.一种具量子点的画素基板的制作方法，其特征在于，包含：
于透明基板的表面形成一光阻层；
以一光罩对该光阻层进行曝光；
移除未被曝光的该光阻层，并将已被曝光的该光阻层制作为倒梯形或漏斗形结构的一黑矩阵层，以定义数个像素空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：许铭案，林文福，谢东宏，林佳慧，
申请(专利权)人：恒煦电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71