一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法技术

本发明专利技术公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明专利技术中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明专利技术中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。

【技术实现步骤摘要】
一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法
本专利技术涉及一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄
，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。
技术介绍
宇宙空间环境中存在着恶劣的辐射环境，其中的高能重离子和质子在航天器内部集成电路中产生的单粒子效应，会使集成电路出现单粒子翻转、单粒子锁定和单粒子击穿的现象，造成电路逻辑状态发生改变、功能收到干扰的问题，使整个电子系统不能在正常状态下工作，严重的可能导致灾难性事故。据统计，由单粒子效应引起的宇航电子器件故障数占总故障数的55％。近年来，随着航天技术的高速发展，对宇航电子系统的性能和数据处理能力的要求也不断提高，同时伴随卫星向小型化、微型化和高集成化的方向发展，纳米级集成电路是宇航电子系统的必然选择。集成电路纳米工艺节点的到来加剧了单粒子效应对集成电路的影响，使得单粒子效应已经成为宇航级集成电路所面临最主要的辐射可靠性问题。为提前对宇航级集成电路在轨风险进行评估，一般会在集成电路板级封装前，使用重离子加速器加速的各种重离子来模拟空间粒子对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于，包括：PVC塑料板(1)和减薄膜(4)；/nPVC塑料板(1)的外形为圆形，PVC塑料板(1)的中心加工有圆孔(2)，待减薄的倒装焊器件(3)通过减薄膜(4)固定在圆孔(2)内部特定位置；/n所述PVC塑料板(1)厚度不大于倒装焊基板厚度的1/2，防止电路减薄过程设备的磨轮与PVC塑料板(1)接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于，包括：PVC塑料板(1)和减薄膜(4)；
PVC塑料板(1)的外形为圆形，PVC塑料板(1)的中心加工有圆孔(2)，待减薄的倒装焊器件(3)通过减薄膜(4)固定在圆孔(2)内部特定位置；
所述PVC塑料板(1)厚度不大于倒装焊基板厚度的1/2，防止电路减薄过程设备的磨轮与PVC塑料板(1)接触。


2.如权利要求1所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述PVC塑料板(1)的平整度不大于5μm。


3.如权利要求2所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述圆孔(2)的加工方法为低应力激光切割。


4.如权利要求2或3所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述圆孔(2)直径的取值范围为100mm～150mm。


5.如权利要求4所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述圆孔(2)的圆心与PVC塑料板(1)圆心位置的偏差不超过1mm。


6.如权利要求5所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述减薄膜(4)的基材材料为聚烯烃，基材材料的厚度不小于90μm；减薄膜(4)的胶层材料为丙烯酸，胶层材料的厚度不大于20μm。


7.如权利要求6所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：减薄膜(4)具有UV解胶的特性，UV前粘性不小于6000mN/25mm，UV后粘性不大于100mN/25mm。


8.如权利要求7所述的一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装，其特征在于：所述特定位置要求为，倒装焊器件(3)不覆盖圆孔(2)圆心，倒装焊器件(3)边缘与圆孔(2)圆心的最小垂矩不小于1mm。


9.一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的方法，其特征在于，包括步骤如下：
1)制备工装
PVC塑料板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李峰，王勇，冯小成，荆林晓，李洪剑，井立鹏，宋佳，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11