一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法技术

一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。涉及一种半导体扩散工艺。提供了一种分散环区电场强度，从而提高保护环区域抗静电能力的一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。通过增加保护环结深，增大保护环边缘耗尽层的曲率半径，实现分散环区电场强度，从而提高保护环区域抗静电能力，通过优化高温扩散的氧化时间和温度，从而达到增加保护环结深的目的。本发明专利技术具有提高保护环区域抗静电能力等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法
本专利技术涉及一种半导体扩散工艺，尤其涉及一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。
技术介绍
ESD（Electro-Staticdischarge）的意思是“静电释放”。一个物体累计了大量静止的（正或负）电荷，该物体对外表现为带静电，当带电物体与其它物体接触或接近时，表面的静电荷会突然对其它物体进行静电释放。静电常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。ESD（静电释放）放电电流过大，产生高热能，易击穿电子电器中的内部线路。对于平面肖特基产品，漂移区的电场强度是呈线性分布的，电场强度的峰值出现在肖特基界面处，保护环边缘电场强度最强，当高电场强度分布区域受外部环境影响导致电荷集中就极易发生静电释放。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种分散环区电场强度，从而提高保护环区域抗静电能力的一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。本专利技术的技术方案是：一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法，包括以下步骤：1）在N型衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）在N型衬底表面生长第一氧化层；/n2）在第一氧化层上进行光刻工艺，在第一氧化层上刻蚀出环状凹槽；/n3）去除表面光刻胶，进行硼元素的注入；/n4）推进工艺/n4.1）在750℃的卧室炉管内通入浓度值为12slm的氮气，作为氢氧合成的保护气体；/n4.2）当卧室炉管内工作腔的温度上升至900℃时，通入浓度值为5slm的氧气和浓度值为5slm的氢气；氧气和氢气分别与硅发生反应，生长一层500A的第二氧化层；/n4.3） 将工作腔的温度上升至1050℃，通入浓度值为9slm的氧气和100 sccm的DCE；/n4...

【技术特征摘要】
1.一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在N型衬底表面生长第一氧化层；
2）在第一氧化层上进行光刻工艺，在第一氧化层上刻蚀出环状凹槽；
3）去除表面光刻胶，进行硼元素的注入；
4）推进工艺
4.1）在750℃的卧室炉管内通入浓度值为12slm的氮气，作为氢氧合成的保护气体；
4.2）当卧室炉管内工作腔的温度上升至900℃时，通入浓度值为5slm的氧气和浓度值为5slm的氢气；氧气和氢气分别与硅发生反应，生长一层500A的第二氧化层；
4.3）将工作腔的温度上升至1050℃，通入浓度值为9slm的氧气和100sccm的DCE；
4.4）将工作腔的温度下降至900℃，将通入的氧气浓度值由9slm降至5slm，并通入浓度值为5slm的氢气，氢氧合成反应与硅形成二氧化硅层，二氧化硅层向内生长与初始氧化膜层累积；
4.5）将工作腔的温度下降至750℃，并继续通入浓度为12slm的氮气作为保护气体，待工作腔的温度降至750℃时，产品出腔；
5）出腔后，有源层、势垒层以及金属层的制备。


2.根据权利要求1所述的一种改善平面肖特基产...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维伟，赵晓非，杨亚峰，杨正铭，陆益，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32