一种新式的N型层磷掺杂工艺方法技术

一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。提供了一种加工简便，工艺扩散后表面浓度均匀性好的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。本发明专利技术在硅片表面制作了一层掺有磷的多晶硅薄膜层，再在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si3N4层，保护含有磷元素的多晶硅层，在热处理下，该多晶硅薄膜层里的磷原子向硅体内扩散，达到了杂质扩散的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种新式的N型层磷掺杂工艺方法
本专利技术涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。
技术介绍
现有的磷掺杂工艺方法，采用N2携带POCL3，通过高温下POCL3分解出P2O5，再由P2O5与Si反应得到N型掺杂的磷杂质。反应方程式为：5POCL3→PCL5+P2O54PCL5+5O2→2P2O5+5CL22P2O5+5SI→SIO2+4PPOCL3进行磷掺杂工艺，存在以下缺点:1.由于POCL3分解物具有,腐蚀性，硅片表面很容易被腐蚀。2.高温下经过化学反应后得到磷含量不稳定，磷掺杂后均匀性差。综上所述，该工艺扩散后表面浓度均匀性差，工艺稳定性差，过程复杂。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种加工简便，工艺扩散后表面浓度均匀性好的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。本专利技术的技术方案是：一种新式的N型层磷掺杂工艺方法，包括以下步骤：1）、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层；2）、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新式的N型层磷掺杂工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层；/n2）、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si

【技术特征摘要】
1.一种新式的N型层磷掺杂工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层；
2）、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si3N4层，保护含有磷元素的多晶硅层；
3）、将含有磷元素的多晶硅层和Si3N4保护层在一定温度、一定气氛下热处理一定时间，使得磷向Si扩散，形成N型层；
4）、后处理，即获得产品。


2.根据权利要求1所述的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法，其特征在于，所述含磷元素的多晶硅层通过LPCVD炉制备。


3.根据权利要求1所述的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆益，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32