硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法技术

本申请提供了一种太阳能电池的硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法。该硼扩散方法，包括以下步骤：将预处理后的N型硅片置于扩散炉内，在第一温度下进行第一次硼扩散沉积；在第一次硼扩散沉积之后，使扩散炉内的温度从第一温度升温至第二温度，进行推结；在推结之后，使扩散炉内的温度从第二温度降温至第三温度，在第三温度下进行第二次硼扩散沉积。本发明专利技术采用了两步沉积的方法，其中第一步沉积可用于制备轻掺杂区域，第二步沉积可为后续激光掺杂提供足够的硼扩散源，从而得到合适的重掺杂区，有助于提高电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法
本申请涉及太阳能电池的制备
，尤其涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
目前，光伏发电技术作为利用太阳能资源的主流技术，已经走向市场化和商业化。为更进一步推进光伏电池产品的利用和推广，需要逐渐提升电池效率，降低度电成本。近年来，N型太阳能电池因光致衰减低，稳定性好，双面发电等优良特性而受到广泛关注，N型太阳能电池在光伏市场的占比越来越大。N型太阳能电池正面一般利用硼扩散工艺制结形成P型发射极。硼扩选择性发射极(SE，SelectiveEmitter)结构电池，是在硼扩散面金属栅线与硅片的解除区域(电极接触部分)进行重掺杂(P++)，而金属电极之间非金属接触区域实现轻掺杂(P+)。此结构可有效的降低金属区的接触电阻及金属复合，提高开路电压。同时非金属接触区域即轻掺杂区的俄歇复合降低且短波量子效率有效提高，从而提高其短路电流。在N型晶体硅太阳能电池的制备过程中，正面硼扩散是较为关键的步骤。但目前N型电池硼扩散工艺的温度很高会降低体寿命，另外在金属化中银铝浆的烧蚀性会带来更高的金属复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将预处理后的N型硅片置于扩散炉内，在第一温度下进行第一次硼扩散沉积；/n在第一次硼扩散沉积之后，使扩散炉内的温度从第一温度升温至第二温度，进行推结；/n在推结之后，使扩散炉内的温度从第二温度降温至第三温度，在第三温度下进行第二次硼扩散沉积。/n

【技术特征摘要】
1.一种硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：
将预处理后的N型硅片置于扩散炉内，在第一温度下进行第一次硼扩散沉积；
在第一次硼扩散沉积之后，使扩散炉内的温度从第一温度升温至第二温度，进行推结；
在推结之后，使扩散炉内的温度从第二温度降温至第三温度，在第三温度下进行第二次硼扩散沉积。


2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第一温度为800-900℃；
和/或，所述第三温度为800-900℃。


3.根据权利要求2所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第一温度为850-880℃；
和/或，所述第三温度为850-880℃。


4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第二温度分别高于第一温度和第三温度，且所述第二温度＜950℃。


5.根据权利要求4所述的硼扩散方法，其特征在于，所述第二温度≤920℃。


6.根据权利要求1-5任一项所述的硼扩散方法，其特征在于，所述进行第一次硼扩散沉积包括：
往所述扩散炉内通入氮气、氧气和硼源，进行第一次硼扩散沉积，沉积的时间为10-60min，氮气的流量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨楠楠，金井升，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科绿能上海管理有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33