液体金属离子源和聚焦离子束装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种液体金属离子源和聚焦离子束装置，能够长期间稳定地释放离子束。该液体金属离子源(50)具备：贮存室(10)，其对形成液体金属的离子材料(M)进行保持；针状电极(20)，其表面由从贮存室供给的离子材料覆盖；引出电极(22)，其使离子材料的离子从针状电极的前端释放；射束光圈(24)，其配置于引出电极的下游侧，对离子的束径进行限制；以及真空室(30)，其对这些进行收纳并保持为真空，该液体金属离子源(50)的特征在于，进一步具有氧化性气体导入部(40)，氧化性气体导入部与真空室连通而向针状电极的周围导入氧化性气体。

【技术实现步骤摘要】
液体金属离子源和聚焦离子束装置
本专利技术涉及能够适当地用作例如聚焦离子束装置的离子源的液体金属离子源和聚焦离子束装置。
技术介绍
以往使用液体金属离子源作为聚焦离子束(FIB)装置的离子源。该液体金属离子源在对液体金属进行加热而润湿针状电极并对该针状电极与引出电极之间施加电压时，针状电极前端的液体金属成为被称为泰勒锥的圆锥状，从该圆锥的前端产生电场蒸发而释放离子。但是，有时熔融金属发生氧化而使离子释放变得不稳定。因此，报告了向针状电极附近导入还原气体的技术(专利文献1)、或对针状电极前端的液体金属照射离子的技术(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭61-22537号公报专利文献2：日本特开平7-153403号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题另外，为了抑制离子束的扩散、聚焦透镜的污染，有时在引出电极的下游侧配置对离子的束径进行限制的射束光圈。但是，存在如下的问题：射束光圈被离子照射而引起溅射现象，构成射束光圈的钨、钼等高熔点材料成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液体金属离子源，其具备：/n贮存室，其对形成液体金属的离子材料进行保持；/n针状电极，其表面由从所述贮存室供给的所述离子材料覆盖；/n引出电极，其使所述离子材料的离子从所述针状电极的前端释放；/n射束光圈，其配置于所述引出电极的下游侧，对所述离子的束径进行限制；以及/n真空室，其收纳贮存室、针状电极、引出电极和射束光圈并保持为真空，/n该液体金属离子源的特征在于，进一步具有氧化性气体导入部，所述氧化性气体导入部与所述真空室连通而向所述针状电极的周围导入氧化性气体。/n

【技术特征摘要】
20190924 JP 2019-1725061.一种液体金属离子源，其具备：
贮存室，其对形成液体金属的离子材料进行保持；
针状电极，其表面由从所述贮存室供给的所述离子材料覆盖；
引出电极，其使所述离子材料的离子从所述针状电极的前端释放；
射束光圈，其配置于所述引出电极的下游侧，对所述离子的束径进行限制；以及
真空室，其收纳贮存室、针状电极、引出电极和射束光圈并保持为真空，
该液体金属离子源的特征在于，进一步具有氧化性气体导入部，所述氧化性气体导入部与所述真空室连通而向所述针状电极的周围导入氧化性气体。


2.如权利要求1所述的液体金属离子源，其中，
所述氧化性气体为水蒸气。


3.如权利要求1或2所述的液体金属离子源，其中，
该液体金属离子源进一步具备将所述真空室排气至目标真空度的最终排气系统，
所述最终排气系统和所述氧化性气体导入部分别经由不同的流路而与所述真空室连通。


4.如权利要求1或2所述的液体金属离子源，其中，
该液体金属离子源进一步具备将所述真空室排气至目标真空度的最终排气系统，
所述最终排...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山喜弘，麻畑达也，清原正宽，杨宗翰，
申请(专利权)人：日本株式会社日立高新技术科学，
类型：发明
国别省市：日本;JP