用于离子源壳体的氢气排气制造技术

用于离子注入系统的终端系统(102)具有离子源(108)，该离子源具有壳体和包括一个或多个孔板的提取电极组件。气体箱(152)电耦接至离子源。气体源(148)在气体箱内，以与离子源组件基本相同的电位提供气体。排气导管(154、172、174)将气体引入到位于离子源的壳体的内部和至少一个孔板的上游的区域。排气导管具有一个或多个贯穿离子源组件的主体延伸的馈通件，例如位于离子源的安装凸缘中的孔。安装凸缘可以是具有通道的管状部。排气导管可以进一步具有限定为气体分配环(174)的气体分配设备(172)。气体分配环通常可以环绕安装凸缘的管状部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于离子源壳体的氢气排气相关申请的引用本申请是美国非临时申请，其要求于2018年5月11日提交的题为《用于离子源壳体的氢气排气》的第62/670,307号美国临时申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术总体上涉及离子注入系统，并且更具体地涉及具有用于离子注入系统的离子源的氢气排气的离子注入系统。
技术介绍
在半导体器件的制造中，离子注入被用来对半导体掺杂杂质。离子注入系统通常用于用离子束中的离子对工件(例如半导体晶圆)进行掺杂，以产生n型或p型材料掺杂，或在集成电路制造过程中形成钝化层。这种射束处理通常用于以预定的能级并以受控的浓度选择性地向晶圆注入特定掺杂剂材料的杂质，以在集成电路制造期间产生半导体材料。当用于掺杂半导体晶圆时，离子注入系统将选定的离子种类注入到工件中，以产生所需的外源性材料。注入由诸如锑、砷或磷之类的源材料产生的离子会导致“n型”外源性材料晶圆，而“p型”外源性材料晶圆往往是由通过诸如硼、镓或铟等源材料产生的离子导致的。典型的离子注入机包括离子源、离子提取装置、质量分析装置、射束传输装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于离子注入系统的终端系统，其中，所述终端系统包括：/n离子源壳体；/n离子源组件，位于所述离子源壳体内，其中，所述离子源组件包括具有一个或多个孔板的提取电极组件；/n气体箱，电连接到所述离子源组件；/n气体源，设置在所述气体箱内，其中，所述气体源配置成以与所述离子源组件相同的电位提供气体；以及/n排气导管，与所述离子源组件相关联，其中，所述排气导管配置成将所述气体引入到位于所述离子源壳体的内部并且所述一个或多个孔板中的一个或多个孔板的上游的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 US 62/670,3071.一种用于离子注入系统的终端系统，其中，所述终端系统包括：
离子源壳体；
离子源组件，位于所述离子源壳体内，其中，所述离子源组件包括具有一个或多个孔板的提取电极组件；
气体箱，电连接到所述离子源组件；
气体源，设置在所述气体箱内，其中，所述气体源配置成以与所述离子源组件相同的电位提供气体；以及
排气导管，与所述离子源组件相关联，其中，所述排气导管配置成将所述气体引入到位于所述离子源壳体的内部并且所述一个或多个孔板中的一个或多个孔板的上游的区域。


2.根据权利要求1所述的终端系统，其中，所述排气导管包括一个或多个馈通件，所述馈通件穿过所述离子源组件的主体延伸。


3.根据权利要求2所述的终端系统，其中，所述一个或多个馈通件包括位于所述离子源组件的安装凸缘中的孔。


4.根据权利要求3所述的终端系统，其中，所述安装凸缘包括管状部，所述管状部中限定有通道。


5.根据权利要求4所述的终端系统，其中，所述排气导管还包括气体分配设备。


6.根据权利要求5所述的终端系统，其中，所述气体分配设备包括气体分配环。


7.根据权利要求6所述的终端系统，其中，所述气体分配环通常环绕所述安装凸缘的所述管状部。


8.根据权利要求5所述的终端系统，其中，所述气体分配设备包括位于其圆周周围的多个分配孔。


9.根据权利要求5所述的终端系统，其中，所述气体分配设备位于所述离子源组件的外部并且位于所述提取电极组件的接地板的上游。


10.根据权利要求1所述的终端系统，其中，所述气体源包括配置成产生氢气的氢气发生器。


11.根据权利要求1所述的终端系统，其中，所述离子源和所述气体箱通过多个电绝缘体与所述终端系统的其余部分电绝缘。
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【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·科尔文，哲简·谢，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US