存储介质的数据重读方法、系统、终端设备以及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种存储介质的数据重读方法、系统、终端设备及计算机存储介质，通过在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。相比于现有技术，本发明专利技术无需按照偏移值进行左右试探性的电压偏移来重读数据，节省了数据重读时间，提升了数据读取报错情况下的数据重读效率。

【技术实现步骤摘要】
存储介质的数据重读方法、系统、终端设备以及存储介质
本专利技术涉及存储设备
，尤其涉及一种存储介质的数据重读方法、系统、终端设备及计算机存储介质。
技术介绍
时下，使用nandflash(一种flash闪存存储器)进行数据存储时，由于nandflash自身存在的ReadDistrub读干扰、ProgramDistrub写干扰、高低温以及擦写次数等因素的影响，往往容易使nandflash的浮栅结构内的电子数量发生变化。如此，在nandflash进行读取数据时就会因为电子变化造成的错误比特翻转而造成数据读取失败，进而需要触发数据重读以重新进行数据的读取操作。然而，现有数据重读方式在针对单电压阈值(电压阈值是供nandflash进行数据重读时偏移电压的基础电压阈值)类型的数据页进行数据重读时，通常是按照既定的一系列偏移值先向左偏移该电压阈值重读数据，若不成功则再向右偏移该电压阈值再次重读数据，如此反复尝试直至最终数据重读成功。如此，数据重读不仅需要耗费大量时间进行尝试，且容易存在无法重读成功的现象。综上，现有使用nandflash针对单电压阈值类型的数据页的数据重读效率低下。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种存储介质的数据重读方法、系统、终端设备及计算机存储介质，旨在解决现有使用nandflash针对单电压阈值类型的数据页的数据重读效率低下的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种存储介质的数据重读方法，所述存储介质的数据重读方法包括：在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。进一步地，所述比特数据还包括所述数据页的最大比特位数，所述根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向的步骤，包括：检测所述0比特值的数量是否大于所述最大比特位数的二分之一；在检测到所述0比特值的数量大于所述最大比特位数的二分之一时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向右偏移；在检测到所述0比特值的数量未大于所述最大比特位数的二分之一时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向左偏移。进一步地，所述比特数据还包括1比特值的数量，所述根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向的步骤，还包括：检测所述0比特值的数量是否大于所述1比特值的数量；在检测到所述0比特值的数量大于所述1比特值的数量时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向右偏移；在检测到所述0比特值的数量未大于所述1比特值的数量时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向左偏移。进一步地，所述存储介质的数据重读方法还包括：统计存储介质的数据页的比特数据，其中，所述比特数据至少包括0比特值的数量。进一步地，所述统计存储介质的数据页的比特数据的步骤，包括：在从所述存储介质的所述数据页读取数据时，实时统计从所述数据页读取数据的0比特值的数量。进一步地，所述按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读的步骤，包括：提取预设的重读参数，其中，所述重读参数包括一个或者多个电压偏移值；按照所述偏移方向和所述电压偏移值偏移所述默认电压阈值进行数据重读直至数据读取成功。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种存储介质的数据重读系统，所述存储介质的数据重读系统包括：确定模块，用于在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；获取模块，用于若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；重读模块，用于根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。进一步地，所述存储介质的数据重读系统还包括：统计模块，用于统计存储介质的数据页的比特数据，其中，所述比特数据至少包括0比特值的数量。本专利技术存储介质的数据重读系统的各功能模块在运行时实现如上述的存储介质的数据重读方法的步骤。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的存储介质的数据重读程序，所述存储介质的数据重读程序被所述处理器执行时实现如上述中的存储介质的数据重读方法的步骤。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的存储介质的数据重读方法的步骤。本专利技术提出的存储介质的数据重读方法、系统，终端设备以及计算机存储介质，通过在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。本专利技术通过终端设备在监测到主控从存储介质的某数据页读取数据出现报错时，先确定该数据页的数据页类型，然后，在确定到数据页类型为仅含有一个电压阈值的单电压阈值类型时，即获取包括有该数据页中0比特值的数量的比特数据，最后，基于该比特数据来确定当前触发数据重读针对该数据页进行数据重读时，应当偏移该数据页电压阈值的偏移方向，从而直接按照该偏移方向偏移该数据页的电压阈值进行数据重读操作。本专利技术在从存储介质读取数据出现报错时，针对单电压阈值类型的数据页，通过获取包括有该数据页中0比特值的数量的比特数据，并根据该比特数据确定该数据页电压阈值的偏移方向，从而可以直接根据确定的该偏移方向偏移该电压阈值进行数据重读。相比于现有技术，本专利技术无需按照偏移值进行左右试探性的电压偏移来重读数据，节省了数据重读时间，提升了数据读取报错情况下的数据重读效率。附图说明图1是本专利技术实施例方案涉及终端设备的硬件运行的结构示意图；图2是本专利技术一种存储介质的数据重读方法一实施例的流程示意图；图3是本专利技术一种存储介质的数据重读系统的功能模块示意图。本专利技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示，图1是本专利技术实施例方案涉及终端设备的硬件运行环境的结构示意图。需要说明的是，图1即可为终端设备的硬件运行环境的结构示意图。本专利技术实施例终端设备可以是使用nandflash进行数据存储的设备，数据存储控制终端，PC，便携计算机，车载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储介质的数据重读方法，其特征在于，所述存储介质的数据重读方法包括：/n在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；/n若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；/n根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储介质的数据重读方法，其特征在于，所述存储介质的数据重读方法包括：
在监测到从存储介质的数据页读取数据报错时，确定所述数据页的数据页类型；
若确定所述数据页类型为单电压阈值类型，则获取所述数据页的比特数据，其中，所述比特数据包括0比特值的数量；
根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。


2.如权利要求1所述的存储介质的数据重读方法，其特征在于，所述比特数据还包括所述数据页的最大比特位数，
所述根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向的步骤，包括：
检测所述0比特值的数量是否大于所述最大比特位数的二分之一；
在检测到所述0比特值的数量大于所述最大比特位数的二分之一时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向右偏移；
在检测到所述0比特值的数量未大于所述最大比特位数的二分之一时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向左偏移。


3.如权利要求1所述的存储介质的数据重读方法，其特征在于，所述比特数据还包括1比特值的数量，
所述根据所述比特数据确定所述数据页的电压阈值的偏移方向的步骤，还包括：
检测所述0比特值的数量是否大于所述1比特值的数量；
在检测到所述0比特值的数量大于所述1比特值的数量时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向右偏移；
在检测到所述0比特值的数量未大于所述1比特值的数量时，确定所述数据页的电压阈值的偏移方向为向左偏移。


4.如权利要求1至3任一项所述的存储介质的数据重读方法，其特征在于，所述存储介质的数据重读方法还包括：
统计存储介质的数据页的比特数据，其中，所述比特数据至少包括0比特值的数量。


5.如权利要求4所述的存储介质的数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高信，罗挺，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：合肥致存微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34