一种弹性晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种弹性晶片的制造方法，包括：单晶硅的制备、纳米微加工；所述单晶硅的制备包括：S1清洁处理、S2装炉、S3熔化、S4引晶、S5缩径、S6放肩、S7等径生长、S8收尾；所述S1清洁处理：将炉体、籽晶、硅多晶、掺杂剂、石英坩埚进行清洁处理；所述S2装炉：将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；所述S3熔化：当装炉结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源；本发明专利技术通过对弹性晶片的制造方法的改进，具有设计合理，易于实现、便于加工生产，制得晶片安全、无痛、无创、便于使用，促进吸收，提高护理效果的优点，从而有效的解决了本发明专利技术提出的问题和不足。

【技术实现步骤摘要】
一种弹性晶片的制造方法
本专利技术涉及美容护理
，更具体的说，尤其涉及一种弹性晶片的制造方法。
技术介绍
人类皮肤的角质层很薄，其厚度仅为6-25微米，却相当“坚韧”，是皮肤最重要的保护层。有效成分吸收是众多大牌化妆品和消费者非常关注的问题，但是一直没有有效的手段。目前主要以物理微波、激光、有创滚轮微针和化学促渗剂、导入液体的化妆品为主。这些传统的方法在使用时存在较大的局限性局限：过深：传统注射必须刺破真皮层，无法精确控制药物释放速度，有痛感、可能有毒副作用、感染风险等；过浅：无论治疗皮肤疾病的外用药膏还是美容护肤品，无法穿透皮肤表皮薄而坚韧的角质层，从而使有效活性成分无法抵达目标部位，吸收效率极低，“事倍功半”。有鉴于此，针对现有的问题予以研究改良，提供一种弹性晶片的制造方法，旨在通过该技术，达到解决问题与提高实用价值性的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种弹性晶片的制造方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题和不足。为实现上述目的，本专利技术提供了一种弹性晶片的制造方法，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性晶片的制造方法，包括：单晶硅的制备、纳米微加工；其特征在于：所述单晶硅的制备包括：/nS1清洁处理、/nS2装炉、/nS3熔化、/nS4引晶、/nS5缩径、/nS6放肩、/nS7等径生长、/nS8收尾；/n所述S1清洁处理：将炉体、籽晶、硅多晶、掺杂剂、石英坩埚进行清洁处理；/n所述S2装炉：将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；/n所述S3熔化：当装炉结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至大于硅的熔化温度1420℃，使多晶硅和掺杂物熔化；/n所述S4引晶：当多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶慢慢下降进入硅熔融体中，并且籽晶在硅熔...

【技术特征摘要】
1.一种弹性晶片的制造方法，包括：单晶硅的制备、纳米微加工；其特征在于：所述单晶硅的制备包括：
S1清洁处理、
S2装炉、
S3熔化、
S4引晶、
S5缩径、
S6放肩、
S7等径生长、
S8收尾；
所述S1清洁处理：将炉体、籽晶、硅多晶、掺杂剂、石英坩埚进行清洁处理；
所述S2装炉：将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；
所述S3熔化：当装炉结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至大于硅的熔化温度1420℃，使多晶硅和掺杂物熔化；
所述S4引晶：当多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶慢慢下降进入硅熔融体中，并且籽晶在硅熔体中也会被熔化，然后在有一定转速的籽晶，按一定速度向上提升，由于轴向及径向温度梯度产生的热应力和熔融体的表面张力作用，使籽晶与硅熔体的固液交接面之间的硅熔融体冷却成固态的硅单晶；
所述S5缩径：当籽晶与硅熔融体接触时，由于温度梯度产生的热应力和熔体的表面张力作用，会使籽晶晶格产生大量位错，这些位错可利用缩径工艺使之消失，即使用无位错单晶作籽晶浸入熔体后，由于热冲击和表面张力效应也会产生新的位错，因...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐百，
申请(专利权)人：苏州纳通生物纳米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32