固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法制造方法及图纸

本申请公开了一种固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法所述固定籽晶的装置包括载晶片和晶架平台；所述载晶片上固定有籽晶；所述载晶片放置在晶架平台上，使晶体生长。在快速生长KDP类晶体下种过程使用，简单快速，不破坏生长溶液稳定性，可顺利快速生长出大尺寸KDP类晶体，晶体长成脱离晶架不会破坏晶架表面价格昂贵涂层。具有很好的普适性。

【技术实现步骤摘要】
固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的方法
本申请涉及一种固定籽晶的装置、生长装置及晶体快速生长的下种方法，属于水溶液晶体快速生长

技术介绍
磷酸二氢钾晶体(KDP)和磷酸二氘钾晶体(DKDP)是性能优良的电光和非线性光学晶体材料，被广泛应用于激光领域。近年来，随着惯性约束核聚变(ICF)的快速发展，KDP类晶体以其能生长出大尺寸等优点，在ICF系统中起着不可替代的作用。在ICF工程中，大尺寸的KDP类晶体被用来制作普克尔斯盒、二倍频和三倍频元件。KDP类晶体快速生长过程中，籽晶下种过程很关键。以往的下种过程，籽晶放在晶架中心的凹槽中，升温加热至高温，加入热生长溶液，降温生长。晶体生长失败，又要把溶液打回配料槽，新籽晶注入后，生长溶液又从配料槽转移至生长槽，过程繁琐，浪费物料。晶体长成后移出晶架会破坏晶架层，晶架报废。
技术实现思路
本申请提供的固定籽晶的装置用于KDP类晶体快速生长的下种方法，快速生长KDP类晶体下种过程简单快速，不破坏生长溶液稳定性，可顺利快速生长出大尺寸KDP类晶体，晶体长成脱离晶架本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固定籽晶的装置，其特征在于，所述固定籽晶的装置包括载晶片和晶架平台；所述载晶片上固定有籽晶；所述载晶片放置在晶架平台上，使晶体生长。/n

【技术特征摘要】
1.一种固定籽晶的装置，其特征在于，所述固定籽晶的装置包括载晶片和晶架平台；所述载晶片上固定有籽晶；所述载晶片放置在晶架平台上，使晶体生长。


2.根据权利要求1所述的固定籽晶的装置，其特征在于，所述载晶片和晶架平台的摩擦系数为0.33～0.45。


3.根据权利要求1所述的固定籽晶的装置，其特征在于，所述载晶片的厚度为0.75～1mm。


4.根据权利要求1所述的固定籽晶的装置，其特征在于，所述载晶片的表面积为4～9cm2。


5.根据权利要求1所述的固定籽晶的装置，其特征在于，所述载晶片选自塑料片。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国辉，刘苾毳，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35