用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用技术

本发明专利技术涉及一种用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用。用于硅晶体生长的硅原料包括按照质量份数的如下组分：硅粉70份～99份；以及硅碎片1份～30份；硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。本发明专利技术用于硅晶体生长的硅原料中，将硅原料压制成块状料的过程中，颗粒尺寸较大的硅碎片起到骨架和支撑作用，而颗粒尺寸较大的硅碎片和颗粒尺寸较小的硅粉混合，可以增加分子之间的相互作用力。整体能够增加块状硅原料的强度和韧性，使压缩后的硅原料不容易断裂或破碎，从而能够提高硅原料的堆积密度，从而提高生产效率，有利于应用。本发明专利技术还涉及一种用于硅晶体生长的硅原料的制备方法，以及上述硅原料在铸造多晶硅或者铸造单晶硅中的应用。

【技术实现步骤摘要】
用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用
本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用。
技术介绍
在光伏行业内，硅粉的来源主要包括多晶硅生产过程中的副产物、气相合成、硅片切割环节的切割损耗等。例如，西门子法、硅烷热分解法与四氯化硅还原法生产多晶硅的过程中均会产生颗粒尺寸0.1微米～1000微米的硅粉。目前有的厂家将上述硅粉用于铸造多晶硅锭或者铸造单晶硅锭，在铸锭过程中，将硅粉压成块状或者饼状，装入铸锭坩埚中作为硅原料使用。然而，上述直接由硅粉压成块状或者饼状的硅原料的堆积密度较低，导致生产效率不高，不利于应用。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何提高生产效率的问题，提供一种用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用。一种用于硅晶体生长的硅原料，所述硅原料包括按照质量份数的如下组分：硅粉70份～99份；以及硅碎片1份～30份；所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。r>本专利技术技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，所述硅原料包括按照质量份数的如下组分：/n硅粉 70份～99份；以及/n硅碎片 1份～30份；/n所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；/n所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，所述硅原料包括按照质量份数的如下组分：
硅粉70份～99份；以及
硅碎片1份～30份；
所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；
所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。


2.根据权利要求1所述的用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，所述硅原料包括按照质量份数的如下组分：
硅粉70份～90份；以及
硅碎片10份～30份；
所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；
所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。


3.根据权利要求1所述的用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，所述硅碎片包括按照颗粒尺寸和质量份数的如下组分：





4.根据权利要求1所述的用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，所述硅原料包括按照质量份数的如下组分：
硅粉70份～90份；以及
硅碎片10份～30份；
所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；
所述硅碎片包括按照颗粒尺寸和质量份数的如下组分：





5.一种用于硅晶体生长的硅原料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅粉和硅碎片，所述硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm，所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华利，吴义华，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32