一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构制造技术

本发明专利技术涉及一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，解决CIGS共蒸法的各元素蒸发源蒸发温度高低差异大，铜源、铟镓合金源的高温辐射对硒源相邻侧的温度产生影响，会导致硒源蒸发不稳定，影响产品质量的问题。本装置包括真空腔，真空腔内设有待镀膜的基底，其特征在于：所述基底下方设置有硒源、铜源、铟源、镓源，所述硒源为设置在真空腔下方外侧的外置硒源，真空腔下壁通过硒蒸气导向管连接外置硒源，所述硒蒸气导向管沿输送方向设置若干加热电极，硒蒸气导向管的外侧包绕隔热层。本发明专利技术外置硒源不会受到铜源、铟源、镓源的辐射热影响，可以精准控温，蒸汽羽流稳定，同时，外置硒源方便硒源的添加和用量控制，也方便未用完的硒源回收。

【技术实现步骤摘要】
一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构
本专利技术属于太阳能电池片生产领域，涉及一种柔性太阳能电池片的CIGS共蒸法镀膜设备，特别涉及一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构。
技术介绍
柔性太阳能电池片是在柔性可卷绕的基底上形成太阳能光伏材料镀层。铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池是一种质量功率比高、稳定性好的太阳能光伏材料，被普遍认为是最具发展前景的柔性太阳能电池材料。多元共蒸法是最广泛应用的CIGS镀膜方法，在真空环境下完成镀膜，利用铜、铟、镓、硒各元素共蒸，在基底表面反应形成多晶镀层。上述CIGS共蒸法在真空、高温、高腐蚀的环境下完成，无法直接充值，镀膜过程中需要保持蒸汽羽流的稳定、均匀，才能间接控制镀膜层的均匀性。然而铜、铟、镓、硒各元素在系统中的蒸发温度各不相同，由于真空腔内的空间限制，各元素的蒸发源相互临近，蒸发温度高的蒸发源产生的辐射热极易影响蒸发温度低的蒸发源的局部温度，导致蒸汽流紊乱，影响蒸汽羽流的均匀性，导致镀层不匀。以本申请人申请的2019年11月5日公开的中国专利为例，公开号为CN110416367A，记载了一种利用In-Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，包括真空腔，真空腔内设有待镀膜的基底，其特征在于：所述基底下方设置有硒源、铜源、铟源、镓源，所述硒源为设置在真空腔下方外侧的外置硒源，真空腔下壁通过硒蒸气导向管连接外置硒源，所述硒蒸气导向管沿输送方向设置若干加热电极，硒蒸气导向管的外侧包绕隔热层。/n

【技术特征摘要】
1.一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，包括真空腔，真空腔内设有待镀膜的基底，其特征在于：所述基底下方设置有硒源、铜源、铟源、镓源，所述硒源为设置在真空腔下方外侧的外置硒源，真空腔下壁通过硒蒸气导向管连接外置硒源，所述硒蒸气导向管沿输送方向设置若干加热电极，硒蒸气导向管的外侧包绕隔热层。


2.根据权利要求1所述的一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，其特征在于：所述硒蒸气导向管的顶部设有用于蒸气压测量的真空离子计，真空离子计下方的硒蒸气导向管上设有流量控制阀。


3.根据权利要求1所述的一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，其特征在于：所述加热电极为环绕在硒蒸气导向管外壁的环形电极。


4.根据权利要求1所述的一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，其特征在于：所述硒蒸气导向管沿输送方向竖直设置或倾斜向上设置，硒蒸气导向管与水平面的夹角不小于60度。


5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种CIGS共蒸法的硒源外置式结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱路路，罗明新，徐彩军，任宇航，
申请(专利权)人：尚越光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33