一种高硬度PVD膜层及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种高硬度PVD膜层及其制备方法，该方法采用真空镀膜方法沉积于基材上，具体包括：对基材进行清洗；依次在基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，其中，底层为碳化钨复合镀层、膜厚层为碳化钨复合镀层、过渡层为碳化钨复合镀层、颜色层为碳化钨复合镀层。本发明专利技术的高硬度PVD膜层经振动耐磨测试2H无露白，盐雾测试72H、人工汗测试96H、水煮百格测试通过。采用本发明专利技术所提供的方法制备的高硬度PVD膜层能够提高产品质量，提升使用寿命，扩展产品可使用条件。

【技术实现步骤摘要】
一种高硬度PVD膜层及其制备方法
本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种高硬度PVD膜层及其制备方法。
技术介绍
现如今的许多电子产品部件、工件外观装饰上都应用了镀膜的工艺以提升耐腐蚀性，进而延长其使用寿命。然而，现有的镀膜技术所制备形成的膜层硬度不足，在使用过程中容易发生开裂脱落的情况，或者是在与外界物体接触时易被刮花，使膜层从损伤处开始逐渐脱落。
技术实现思路
有鉴于此，为了克服上述现有技术的缺陷，本专利技术提出了一种产品质量良好、使用寿命长的高硬度PVD膜层。具体地，所述高硬度PVD膜层采用真空镀膜方法沉积于基材上，所述高硬度PVD膜层的制备方法包括：对所述基材进行清洗；依次在所述基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，其中，所述底层为碳化钨复合镀层、所述膜厚层为碳化钨复合镀层、所述过渡层为碳化钨复合镀层、所述颜色层为碳化钨复合镀层。进一步，所述底层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-100A、偏压50-350V、时间60-1200秒、真空度1.0-1-5.0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高硬度PVD膜层的制备方法，所述高硬度PVD膜层采用真空镀膜方法沉积于基材上，其特征在于，所述高硬度PVD膜层的制备方法包括：/n对所述基材进行清洗；/n依次在所述基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，/n其中，所述底层为碳化钨复合镀层、所述膜厚层为碳化钨复合镀层、所述过渡层为碳化钨复合镀层、所述颜色层为碳化钨复合镀层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高硬度PVD膜层的制备方法，所述高硬度PVD膜层采用真空镀膜方法沉积于基材上，其特征在于，所述高硬度PVD膜层的制备方法包括：
对所述基材进行清洗；
依次在所述基材表面镀覆底层、膜厚层、过渡层、颜色层，
其中，所述底层为碳化钨复合镀层、所述膜厚层为碳化钨复合镀层、所述过渡层为碳化钨复合镀层、所述颜色层为碳化钨复合镀层。


2.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述底层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-100A、偏压50-350V、时间60-1200秒、真空度1.0-1-5.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。


3.根据权利要求2所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述底层的制备分为两步，其具体操作为：
首先，启动弧靶，调节电流50-100A、偏压150-350V、时间60秒-300秒、真空度1.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶；
然后，启动柱靶，调节电流10-30A偏压50-200V、时间600-1200秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa；采用靶材为铬靶或钛靶。


4.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其特征在于，所述膜厚层采用真空镀膜方法进行镀覆，制备参数为：电流10-30A、偏压30-200V、时间3600-14400秒、真空度3.0-1-5.0-1Pa、C2H210-150SLM；采用靶材为钛靶、锆靶、铬靶、钨靶、碳化钨靶或硅靶。


5.根据权利要求1所述的高硬度PVD膜层的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯伟，吴海平，杜晓颖，杜国才，
申请(专利权)人：惠州市常兴荣科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44