【技术实现步骤摘要】
掩膜结构
本专利技术涉及掩膜
,特别是涉及一种掩膜结构。
技术介绍
目前蒸镀过程多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置,通常使用焊接在掩膜框架上的对位掩膜板的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。多次蒸镀使用后,FMM上会残留蒸镀用有机材料,影响FMM蒸镀效果。故需要对Mask进行清洗,保证FMM再次使用时的清洁。经药液清洗后风刀吹干的过程中,容易在对位掩膜板的对位孔周边与掩膜框架的搭接间隙处形成药液残留,这部分药液最终会在掩膜板的对位孔周边形成残留药液污渍,过多的药液残留将使得蒸镀机在利用对位孔建立坐标系进行精密张网的过程中,蒸镀机对对位孔的对位抓取精度低,且误抓风险高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种掩膜结构,在清洗时,能够减少药液残留污渍,保证蒸镀机对对位孔的对位抓取精度,降低误抓风险。一方面,根据本专利技术实施例提出了一种掩膜结构,包括:掩膜框架,包括围合形成有中空部的框架本体,框架本体具有相背设置的支撑面和背面,框架本体上开设有由支撑面向背面下沉 ...
【技术保护点】
1.一种掩膜结构,其特征在于,包括:/n掩膜框架,包括围合形成有中空部的框架本体,所述框架本体具有相背设置的支撑面和背面,所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面下沉的下沉部,所述下沉部具有与所述背面相交设置的斜面;/n对位掩膜板,设置于所述支撑面,所述对位掩膜板开设有间隔设置且分别与所述下沉部连通的对位孔以及辅助孔,其中,沿垂直于所述背面的第一方向,所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述下沉部的正投影内且所述斜面的正投影覆盖所述对位孔的正投影设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种掩膜结构,其特征在于,包括:
掩膜框架,包括围合形成有中空部的框架本体,所述框架本体具有相背设置的支撑面和背面,所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面下沉的下沉部,所述下沉部具有与所述背面相交设置的斜面;
对位掩膜板,设置于所述支撑面,所述对位掩膜板开设有间隔设置且分别与所述下沉部连通的对位孔以及辅助孔,其中,沿垂直于所述背面的第一方向,所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述下沉部的正投影内且所述斜面的正投影覆盖所述对位孔的正投影设置。
2.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,沿所述第一方向,所述辅助孔在所述背面的正投影的面积大于所述对位孔在所述背面的正投影的面积。
3.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述辅助孔沿所述第一方向的正投影的形状为圆形、椭圆形以及多边形中的一者。
4.根据权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述下沉部的数量为多个且在所述框架本体上间隔分布,所述对位掩膜板上对应每个所述下沉部均设置有所述辅助孔以及所述对位孔,与同一所述下沉部对应设置的所述辅助孔与所述对位孔之间的最小距离为0.2mm。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构,其特征在于,所述下沉部包括贯通孔,所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背面相交设置,所述斜面形成于所述贯通孔的侧壁,沿所述第一方向,所述对位孔以及所述辅助孔的正投影均位于所述贯通孔的正投影内。
6.根据权利要求1至4任意一项所述的掩膜结构,其特征在于,所述下沉部包括贯通孔以及凹部,所述贯通孔贯穿所述支撑面以及所述背面且轴线与所述背...
【专利技术属性】
技术研发人员:付佳,赵晶晶,王腾雨,郑小红,李静静,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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