【技术实现步骤摘要】
掩膜框架及掩膜结构
本专利技术涉及掩膜
，特别是涉及一种掩膜框架及掩膜结构。
技术介绍
目前蒸镀过程多使用精密掩膜结构(FMM)将有机发光材料蒸镀至基板指定位置，通常使用焊接在掩膜框架上的掩膜版的对位孔建立坐标系进行FMM精密张网。多次蒸镀使用后，FMM上会残留蒸镀用有机材料，影响FMM蒸镀效果。故需要对Mask进行清洗，保证FMM再次使用时的清洁。经药液清洗后风刀吹干的过程中，掩膜框架内容易有药液残留无法有效的吹出，这部分药液最终会在掩膜版的对位孔周边形成残留污渍，蒸镀对位抓取对位孔过程中会由于残留污渍难以抓取。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种掩膜框架及掩膜结构，掩膜框架用于掩膜结构并在清洗时，能够减少药液残留，保证与掩膜版连接后对位抓取对位孔的精度。一方面，根据本专利技术实施例提出了一种掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，通过支撑面支撑掩膜版，框架本体上开设有由支撑面向背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，下沉部在与第一方向垂直的...
【技术保护点】
1.一种掩膜框架，其特征在于，包括围合形成有中空部的框架本体，所述框架本体具有相背的支撑面和背面，通过所述支撑面支撑掩膜版，所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，所述下沉部在与所述第一方向垂直的第二方向上贯穿所述框架本体且与所述中空部连通，所述下沉部在所述第二方向延伸预定长度，所述下沉部具有位于所述支撑面的开口以及与所述开口相对的底面，所述底面至少部分与所述背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。/n
【技术特征摘要】
1.一种掩膜框架，其特征在于，包括围合形成有中空部的框架本体，所述框架本体具有相背的支撑面和背面，通过所述支撑面支撑掩膜版，所述框架本体上开设有由所述支撑面向所述背面的第一方向上凹陷预设厚度的多个下沉部，所述下沉部在与所述第一方向垂直的第二方向上贯穿所述框架本体且与所述中空部连通，所述下沉部在所述第二方向延伸预定长度，所述下沉部具有位于所述支撑面的开口以及与所述开口相对的底面，所述底面至少部分与所述背面呈预设角度倾斜，以进行蒸镀定位。
2.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸小于所述框架本体在所述第一方向的厚度尺寸；
优选地，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸的数值范围为15mm～45mm；
优选地，所述下沉部在所述第二方向的延伸尺寸的数值范围为20mm～30mm。
3.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，沿所述第二方向，所述下沉部具有第一端口以及第二端口，所述第一端口的开口面积小于所述第二端口的开口面积。
4.根据权利要求1所述的掩膜框架，其特征在于，所述底面的外轮廓呈梯形，所述底面的其中一个腰边与底边的夹角为α，所述底面的另一个腰边与所述底边的夹角为β，其中，β>α，所述下沉部还具有第一侧壁以及第二侧壁，在所述第一方向，所述第一侧壁的一端与其中一个所述腰边重合且另一端位于所述支撑面，所述第二侧壁的一端与另一个所述腰边重合且另一端位于所述支撑面；
优选地，所述底面的其中一个所述腰边与所述底边的夹角α的数值范围为30°～85°，所述底面的另一个所述腰边与所述底边的夹角β的数值范围为100°～150°。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜正文，王恩霞，李文星，李伟丽，李慧，刘明星，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。