一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED中的应用技术

本发明专利技术公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明专利技术将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明专利技术利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明专利技术的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。

【技术实现步骤摘要】
一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED中的应用
本专利技术属于显示领域，具体涉及一种蓝光InP/ZnS量子点的制备方法和在QLED器件中的应用。
技术介绍
目前镉系量子点在QLED中的性能已经得到了极大地提高，但是由于镉的毒性极大的限制了该量子点在商业中的应用，而钙钛矿量子点的不稳定性也使其QLED的制备也得到了极大的限制，所以无毒的InP量子点受到了广大科研工作者的重视，目前红光和绿光InP量子点的QLED性能已经得到了极大地提高，而蓝光InP量子点的性能的提高还需要进一步的探索，并且目前用传统方法合成的蓝光InP量子点的发光波长都在470nm以上，是一种天蓝色的光，而且制备成QLED后器件的性能很差。所以寻找一种发光峰在470nm以下的InP量子点是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，并将其应用到QLED中。解决了以往其他有毒的量子点和蓝光InP/ZnS量子点发光峰偏红的问题，并且合成方法比较简单，还减少了量子点缺陷的产生，并且提高了器件的性能。...

【技术保护点】
1.一种蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，以油胺为表面配体，1-十八烯为溶剂，硬脂酸锌为锌源，1-十二硫醇为硫源，再添加磷源与铟源，在氮气气氛下进行热反应，经静置离心得到蓝光InP/ZnS量子点。/n

【技术特征摘要】
1.一种蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，以油胺为表面配体，1-十八烯为溶剂，硬脂酸锌为锌源，1-十二硫醇为硫源，再添加磷源与铟源，在氮气气氛下进行热反应，经静置离心得到蓝光InP/ZnS量子点。


2.如权利要求1所述的蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点是由InP作为量子点的核心，以ZnS作为InP核心的外壳。


3.如权利要求1所述的蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，所述热反应具体为：先在200℃下反应20min，形成纯蓝色光的lnP核，再迅速提高温度为300℃，反应1h形成包覆在InP核上的ZnS外壳
如权利要求1所述的纯蓝光InP/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，所磷源包括P[N(CH3)2]3、(DMA)3P或TMS3P。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李福山，陈祥，胡海龙，鞠松蔓，杨开宇，郭太良，
申请(专利权)人：福州大学，闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：福建;35