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一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED中的应用技术
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下载一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED中的应用的技术资料
文档序号:28020383
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本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用,本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中,在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳,进而得...
该专利属于福州大学;闽都创新实验室所有,仅供学习研究参考,未经过福州大学;闽都创新实验室授权不得商用。
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