变量器固定灌封结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种变量器固定灌封结构。它包括磁环外壳和硅胶；所述变量器位于所述磁环外壳内；所述硅胶填充在所述变量器与所述磁环外壳之间，填充在所述磁环外壳底部与所述变量器之间的硅胶的高度为所述磁环外壳高度的1/6～1/4；有亚胺薄膜包裹在变量器外侧；包膜后的所述变量器位于所述磁环外壳内。本实用新型专利技术具有能有效的提升晶体滤波器的抗振水平，防止电性能参数发生变化以及变量器的漆包线磨损的优点。

【技术实现步骤摘要】
变量器固定灌封结构
本技术涉及一种变量器固定灌封结构。更具体地说它是一种适用于晶体滤波器、且适用于不同类型不同尺寸的变量器的固定灌封结构。
技术介绍
随着晶体滤波器产品质量等级的不断提高，晶体滤波器产品对于抗振动的要求也越来越高，以往变量器不做任何处理的方式已经不能满足晶体滤波器产品的抗振动要求。因此，现亟需开发一种抗振动的变量器固定结构。
技术实现思路
本技术的目的是为了提供一种变量器固定灌封结构，能有效的提升晶体滤波器中的变量器的抗振水平，防止电性能参数发生变化以及变量器的漆包线磨损。为了实现上述目的，本技术的技术方案为：变量器固定灌封结构，其特征在于：包括磁环外壳和硅胶；所述变量器位于所述磁环外壳内；所述硅胶填充在所述变量器与所述磁环外壳之间，填充在所述磁环外壳底部与所述变量器之间的硅胶的高度为所述磁环外壳高度的1/6～1/4；有亚胺薄膜包裹在变量器外侧；包膜后的所述变量器位于所述磁环外壳内。在上述技术方案中，所述亚胺薄膜包括横向薄膜和纵向薄膜；纵向薄膜包裹在所述变量器外侧；横向薄膜包裹在纵向薄膜和变量器外侧。在上述技术方案中，包膜后的所述变量器呈方形结构；所述磁环外壳呈倒圆角的方形结构。本技术具有如下优点：(1)本技术在晶体滤波器产品装配前对于变量器进行灌封固定处理，提高变量器的抗振水平，防止电性能参数发生变化以及变量器的漆包线磨损；本技术应用于晶体滤波器，有效的提升了晶体滤波器的抗振水平；克服了现有技术变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损以及变量器参数在振动时参数发生变化超出设计需求的问题；(2)本技术应用于晶体滤波器后，使用灌胶固定的晶体滤波器的抗震动量级有了很大的提升。附图说明图1为本技术中的变量器的结构示意图。图2为本技术中的变量器包膜后的结构示意图。图3为本技术中的磁环外壳灌胶后的结构示意图。图4为本技术中灌胶固定后的变量器整体结构示意图。图5为本技术中的变量器包膜的过程示意图。图中1-变量器,1.1-磁环，1.2-漆包线，2-磁环外壳,3-硅胶,4-亚胺薄膜，4.1-横向薄膜，4.2-纵向薄膜。具体实施方式下面结合附图详细说明本技术的实施情况，但它们并不构成对本技术的限定，仅作举例而已。同时通过说明使本技术的优点更加清楚和容易理解。参阅附图可知：变量器固定灌封结构，包括磁环外壳2和硅胶3；所述变量器1位于所述磁环外壳2内；所述硅胶3填充在所述变量器1与所述磁环外壳2之间(如图4所示)；防止变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损以及变量器参数在振动时参数发生变化；变量器1由磁环1.1与漆包线1.2构成；变量器1根据所需参数不同选用不同的磁环1.1及漆包线1.2进行绕制(如图1所示)。进一步地，有亚胺薄膜4包裹在变量器1外侧；包膜后的所述变量器1位于所述磁环外壳2内，变量器1包裹于亚胺薄膜中，置入灌有硅胶的磁环外壳中(如图2、图4所示)；固定磁环1.1与漆包线1.2，防止变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损，提升变量器1的抗振动能力。进一步地，填充在所述磁环外壳2底部与所述变量器1之间的硅胶3的高度为所述磁环外壳2高度的1/6～1/4(如图3所示)；垫底的硅胶3用于保护变量器1，防止变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损，提升变量器1的抗振动能力。进一步地，所述亚胺薄膜4包括横向薄膜4.1和纵向薄膜4.2；纵向薄膜4.2包裹在所述变量器1外侧；横向薄膜4.1包裹在纵向薄膜4.2和变量器1外侧(如图5所示)；防止变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损。更进一步地，包膜后的所述变量器1呈方形结构(如图2所示)；防止变量器在振动时漆包线与磁环外壳磨损。所述磁环外壳2呈倒圆角的方形结构(如图3、图4所示)，提升晶体滤波器中的变量器1的抗振动能力。本技术所述的变量器固定灌封结构适用于晶体滤波器，可以用于不同类型不同尺寸的变量器的固定。本技术对变量器的固定方法如下：将经预处理的变量器1用亚胺薄膜4进行包裹，先进行纵向包膜，再进行横向包膜(如图5所示)；用注射器向磁环外壳2注入适量的硅胶3，使硅胶3平铺于磁环外壳2底部，平铺于磁环外壳2底部的硅胶3的高度约为磁环外壳的1/6～1/4；再用点胶针将磁环外壳2内壁涂满硅胶3(如图3、图4所示)；将用亚胺薄膜包裹好的变量器放入灌胶的磁环外壳中(如图2、图3所示)；使用点胶针将变量器与磁环外壳间的缝隙用硅胶填满(如图4、图5所示)；将灌胶固定好的变量器整体结构置于温度为(25±3)℃，湿度为(55±3)％的环境中24h；再将变量器整体结构放置于(85±2)℃的烘箱中24h，即得到灌封后的变量器。其它未说明的部分均属于现有技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.变量器固定灌封结构，其特征在于：包括磁环外壳(2)和硅胶(3)；所述变量器(1)位于所述磁环外壳(2)内；所述硅胶(3)填充在所述变量器(1)与所述磁环外壳(2)之间，填充在所述磁环外壳(2)底部与所述变量器(1)之间的硅胶(3)的高度为所述磁环外壳(2)高度的1/6～1/4；有亚胺薄膜(4)包裹在变量器(1)外侧；包膜后的所述变量器(1)位于所述磁环外壳(2)内。/n

【技术特征摘要】
1.变量器固定灌封结构，其特征在于：包括磁环外壳(2)和硅胶(3)；所述变量器(1)位于所述磁环外壳(2)内；所述硅胶(3)填充在所述变量器(1)与所述磁环外壳(2)之间，填充在所述磁环外壳(2)底部与所述变量器(1)之间的硅胶(3)的高度为所述磁环外壳(2)高度的1/6～1/4；有亚胺薄膜(4)包裹在变量器(1)外侧；包膜后的所述变量器(1)位于所述磁环外壳(2)内。


2....

【专利技术属性】
技术研发人员：申尧，祁腾，张磊，刘华，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42