用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种应用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间；上述用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构根据FINFET工艺的特点设计，结构简单易于制造。并且测试可靠性高，能够准确探测并对比边缘鳍的形变程度，从而监控集成电路制造工艺，帮助制造者及时发现问题、及时改进制造方案，极大地节约生产成本投入。

【技术实现步骤摘要】
用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路
本技术属于半导体制造领域，涉及一种测试结构，特别是一种FinFET工艺中用于晶体管边缘鳍形变的测试结构。
技术介绍
随着大规模集成电路工艺技术的不断发展，电路的集成度不断提高，当工艺技术节点小于28nm之后，出现了传统平面MOS器件因性能急剧退化而被三维鳍式场效应晶体管(FinFET)逐渐替代的趋势。图1为平面晶体管的结构示意图，图2为三维鳍式场效应管的结构示意图，与平面晶体管相比，FinFET器件关键尺寸由栅极高度和宽度两个因素同时决定，栅极材料分布于晶体管的两侧和顶部。标准FinFET可以利用通过蚀刻掉衬底中的部分硅层形成从衬底延伸的垂直薄鳍(鳍结构)来制造，相比于传统平面晶体管的栅下衬底表面沟道，FinFET的沟道则是垂直型的，位于沟道两侧的栅极能够从两侧对沟道进行栅极控制。FinFET器件是22nm以下工艺最好的选择，但由于本身是在纳米级别上制造,所以面临着诸多挑战。基于FinFET器件特点，FinFET技术中其沟道源漏形成了三维结构，为保证该结构，在刻蚀时需按照宽度和深本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间。/n

【技术特征摘要】
1.用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间。


2.根据权利要求1所述的检测边缘鳍形变的测试结构而产生的一种测试电路，其特征在于，所述测试电路包括两端法测试电路和四端法测试电路；
所述两端法测试电路包括所述测试结构、一个电流采集单元和一个电压源，所述电压源及电流采集单元串联连接于待测鳍两端的连接层；
所述四端法测试电路包括所述测试结构、一个电流源及两个电压采集单元，所述电流源连接于待测鳍两端的连接层，所述两个电压采集单元分别连接在鳍的两端。


3.用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括一个FinFET晶体管及若干个不互联的连接层，所述FinFET晶体管包括衬底、栅极、源极、漏极和若干鳍，所述若干不互联的连接层垂直覆盖在待测鳍上；
所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间。


4.根据权利要求3所述的用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构，其特征在于，以两个所述连接层为一组，每组连接层覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张飞虎，陆梅君，刘慧斌，杨慎知，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33