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本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－100...该专利属于杭州广立微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州广立微电子股份有限公司授权不得商用。
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