半导体制冷雾化系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种半导体制冷雾化系统，包括雾化室，在所述的雾化室两侧设置制冷半导体，在所述的雾化室外部导热区域中心位置设置热敏电阻，该系统还包括一控制端，在所述的控制端内设置控制电路以及调整电路，所述的控制电路对制冷半导体的工作进行控制，所述的调整电路接收热敏电阻的信号进行处理后反馈至控制电路内，控制电路调整制冷半导体的工作状态。通过上述系统，使用制冷半导体进行制冷，并通过热敏电阻检测内部温度并通过调整电路反馈至控制电路，而控制电路调整制冷半导体的工作状态，实现了快速稳定到目标温度且稳定性高，同时使得雾化室内温度均匀，电源利用率提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体制冷雾化系统
本技术涉及光谱仪的生产与制作
，尤其是涉及一种半导体制冷雾化系统。
技术介绍
ICP发射光谱仪即电感耦合等离子体光谱仪，ICP发射光谱法是根据处于激发态的待测元素原子回到基态时发射的特征谱线对待测元素进行分析的方法，ICP发射光谱仪主要应用于无机元素的定性及定量分析。目前市场上光谱仪雾化室制冷采用三端稳压器控制半导体单点制冷通过金属传导覆盖整个雾化室，这种方法的制冷时间和温度稳定时间都很长，而且温度的稳定性也不高，整个雾化室的温度不均匀，在零度以下雾化室有明显温度梯度出现，对光谱仪测量石化行业(常温易挥发)样品产生了一定的影响。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种温度快速稳定且均匀性好的半导体制雾化系统。本技术解决其技术问题所采取的技术方案是：一种半导体制冷雾化系统，包括雾化室，在所述的雾化室两侧设置制冷半导体，在所述的雾化室外部导热区域中心位置设置热敏电阻，该系统还包括一控制端，在所述的控制端内设置控制电路以及调整电路，所述的控制电路对制冷半导体的工作进行控制，所述的调整电路接收热敏电阻的信号进行处理后反馈至控制电路内，控制电路调整制冷半导体的工作状态。进一步具体的，所述的控制电路包括用于接收调整电路信号的处理单元、用于控制制冷半导体开启与关闭的开关单元以及用于给处理单元与开关单元供电的供电单元。进一步具体的，所述的处理单元包括型号为TPS40077PWP的处理芯片，所述的处理芯片的1脚通过第一电阻后分为三路，第一路连接供电单元的正极，第二路通过第六电容后接地，第三路依次通过第二十一电阻与发光二极管后接地；所述的处理芯片的2脚通过第四电阻后接地；所述的处理芯片的3脚通过第七电容后接地；所述的处理芯片的5脚接地；所述的处理芯片的6脚通过第九电容后接地；所述的处理芯片的8脚分为两路，第一路通过第十七电容与第六电阻后连接于处理芯片的7脚，第二路通过第十八电容后连接于处理芯片的7脚；所述的处理芯片的9脚分为两路，第一路通过第十电容后连接于处理芯片的11脚，第二路接地；所述的处理芯片的10脚与13脚为PWM信号输出至开关单元；所述的处理芯片的11脚通过第一二极管后分为两路，第一路连接于处理芯片的14脚，第二路通过第八电容后连接于处理芯片的12脚；所述的处理芯片的15脚连接供电单元的正极；所述的处理芯片的16脚分为两路，第一路通过第二电阻后连接供电单元的正极，第二路通过第三电容后连接供电单元的正极。进一步具体的，所述的开关单元包括型号为STS26N3LLH6的第一MOSFET管、第二MOSFET管以及电感，所述的第一MOSFET管的1脚、2脚以及3脚均连接于处理芯片的12脚，4脚通过第三电阻连接于处理芯片的13脚，5脚、6脚、7脚以及8脚均连接于供电单元的正极；所述的第二MOSFET管的1脚、2脚以及3脚接地，4脚通过第五电阻后连接于处理芯片的10脚，5脚、6脚、7脚以及8脚均连接于处理芯片的12脚；所述的电感的一端分为两路，第一路连接于处理芯片的12脚，第二路通过第十六电容后接地；所述的电感的另一端分为五路，第一路通过第十三电容后接地，第二路通过第十四电容后接地，第三路通过第十五电容后接地，第四路连接于制冷半导体的4脚，第五路连接于制冷半导体的3脚；所述的制冷半导体的1脚与2脚均接地。进一步具体的，所述的供电单元包括电源，所述的电源正极分为四路，第一路通过第一电容后接地，第二路通过第二电容后接地，第三路通过第四电容后接地，第四路通过第五电容后接地，所述的电源的负极接地。进一步具体的，所述的调整电路包括型号为TL074CN的运算放大器以及用于输入设定值的可变电阻，所述的运算放大器的5脚连接在可变电阻的2脚上；所述的可变电阻的1脚通过第十八电阻后接地，3脚通过第十电阻后连接15Vin的电压；所述的运算放大器的6脚与7脚连接；所述的运算放大器的10脚分为三路，第一路通过第十九电容后接地，第二路连接于热敏电阻的1脚，第三路通过第十四电阻后连接15Vin的电压；所述的热敏电阻的2脚通过第二十五电阻后接地；所述的运算放大器的9脚与8脚连接；所述的运算放大器的8脚通过第十五电阻后分为两路，第一路通过第十六电阻后接地，第二路连接于运算放大器的12脚；所述的运算放大器的13脚分为三路，第一路通过第八电阻后连接于运算放大器的7脚，第二路通过第二十一电容后连接于运算放大器的14脚，第三路通过第九电阻后连接于运算放大器的14脚；所述的运算放大器的4脚连接于15Vin的电压，11脚接地；所述的运算放大器的14脚通过第十二电阻后分为两路，第一路反馈至控制电路，第二路通过第十三电阻后连接于制冷半导体。本技术的有益效果是：通过上述系统，使用制冷半导体进行制冷，并通过热敏电阻检测内部温度并通过调整电路反馈至控制电路，而控制电路调整制冷半导体的工作状态，实现了快速稳定到目标温度且稳定性高，同时使得雾化室内温度均匀，电源利用率提高。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是本技术控制电路的电路图；图3是本技术调整电路的电路图。图中：1、雾化室；2、制冷半导体；3、热敏电阻；4、控制端；5、保温材料。具体实施方式下面结合附图对本技术作详细的描述。如图1所示一种半导体制冷雾化系统，包括雾化室1，在所述的雾化室1两侧设置制冷半导体2，制冷半导体2通过固定装置进行固定，在所述的雾化室1外部导热区域中心位置设置热敏电阻3，即位于两个制冷半导体2之间中心的位置，该系统还包括一控制端4，在所述的控制端4内设置控制电路以及调整电路，所述的控制电路对制冷半导体2的工作进行控制，所述的调整电路接收热敏电阻3的信号进行处理后反馈至控制电路内，控制电路调整制冷半导体2的工作状态；同时，在雾化室1的外部用保温材料5包裹，减少热量交换，提高制冷的效率；其中，控制电路包括用于接收调整电路信号的处理单元、用于控制制冷半导体2开启与关闭的开关单元以及用于给处理单元与开关单元供电的供电单元。在调整电路内设定相应的温度值，处理单元通过开关单元开启制冷半导体2工作，此时热敏电阻3对雾化室1的温度进行检测，并将检测到的信号传递至调整电路内，而在调整电路内将热敏电阻3检测到的温度信号与预先设定的温度信号进行对比并将对比结果反馈至处理单元，而处理单元根据对比结果调整制冷半导体2的工作状态，对比结果相差较大时提高制冷半导体2的制冷功率，对比结果相差较小时降低制冷半导体2的制冷效率。基于上述控制系统，如图2所示其中处理单元包括型号为TPS40077PWP的处理芯片U1(DC/DC芯片)，所述的处理芯片U1的1脚通过第一电阻R1后分为三路，第一路连接供电单元的正极，第二路通过第六电容C6后接地，第三路依次通过第二十一电阻R21与发光二极管D2后接地；所述的处理芯片U1的2脚通过第四电阻R4后接地；所述的处理芯片U1的3脚通过第七电容C7后接地；所述的处理芯片U1的5脚接地；所述的处理芯片U1的6脚通过第九电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制冷雾化系统，包括雾化室(1)，其特征在于，在所述的雾化室(1)两侧设置制冷半导体(2)，在所述的雾化室(1)外部导热区域中心位置设置热敏电阻(3)，该系统还包括一控制端(4)，在所述的控制端(4)内设置控制电路以及调整电路，所述的控制电路对制冷半导体(2)的工作进行控制，所述的调整电路接收热敏电阻(3)的信号进行处理后反馈至控制电路内，控制电路调整制冷半导体(2)的工作状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷雾化系统，包括雾化室(1)，其特征在于，在所述的雾化室(1)两侧设置制冷半导体(2)，在所述的雾化室(1)外部导热区域中心位置设置热敏电阻(3)，该系统还包括一控制端(4)，在所述的控制端(4)内设置控制电路以及调整电路，所述的控制电路对制冷半导体(2)的工作进行控制，所述的调整电路接收热敏电阻(3)的信号进行处理后反馈至控制电路内，控制电路调整制冷半导体(2)的工作状态。


2.根据权利要求1所述的半导体制冷雾化系统，其特征在于，所述的控制电路包括用于接收调整电路信号的处理单元、用于控制制冷半导体开启与关闭的开关单元以及用于给处理单元与开关单元供电的供电单元。


3.根据权利要求2所述的半导体制冷雾化系统，其特征在于，所述的处理单元包括型号为TPS40077PWP的处理芯片，所述的处理芯片的1脚通过第一电阻后分为三路，第一路连接供电单元的正极，第二路通过第六电容后接地，第三路依次通过第二十一电阻与发光二极管后接地；所述的处理芯片的2脚通过第四电阻后接地；所述的处理芯片的3脚通过第七电容后接地；所述的处理芯片的5脚接地；所述的处理芯片的6脚通过第九电容后接地；所述的处理芯片的8脚分为两路，第一路通过第十七电容与第六电阻后连接于处理芯片的7脚，第二路通过第十八电容后连接于处理芯片的7脚；所述的处理芯片的9脚分为两路，第一路通过第十电容后连接于处理芯片的11脚，第二路接地；所述的处理芯片的10脚与13脚为PWM信号输出至开关单元；所述的处理芯片的11脚通过第一二极管后分为两路，第一路连接于处理芯片的14脚，第二路通过第八电容后连接于处理芯片的12脚；所述的处理芯片的15脚连接供电单元的正极；所述的处理芯片的16脚分为两路，第一路通过第二电阻后连接供电单元的正极，第二路通过第三电容后连接供电单元的正极。


4.根据权利要求3所述的半导体制冷雾化系统，其特征在于，所述的开关单元包括型号为STS26N3LLH6的第一MOSFET管、第二MOSFET管以及电感，所述的第一MOSFET管的1脚、2脚以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁辉，李正建，王平杰，李胜辉，
申请(专利权)人：江苏天瑞仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32