镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法技术

本申请涉及一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其包括自下而上依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层，所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层。该镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池采用镝掺杂的氧化锡作为电子传输层材料，对电子传输层的截面进行优化，减少其界面缺陷，提高了电子传输层的导电性，提升钙钛矿太阳电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池是由于其价格便宜，制造工艺简单以，光电转换效率高和带宽可调利于做叠层太阳能电池上电池等优点，近年来受到了很大的关注。传统的正置钙钛矿太阳能电池一般使用氧化锡，氧化锌等金属氧化物作为其电子传输层，但是在这些金属氧化物薄膜上直接旋涂钙钛矿层，界面处会有缺陷等形成，因此效率会有所损失。因此需要一些钝化层或者修饰处理以减少缺陷态密度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法，能够减少界面缺陷从而提高电导率。为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，包括自下而上依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层，所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层。进一步地，所述钙钛矿层的A位离子选自FA、MA或Cs中的任一种或多种；B位离子选自Pb、Sn或Ge任中的任一种或多种；X位离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层，所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和顶电极层，所述电子传输层为镝掺杂氧化锡层。


2.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿层的A位离子选自FA、MA或Cs中的任一种或多种；B位离子选自Pb、Sn或Ge任中的任一种或多种；X位离子选自I、Br或Cl中的任一种或多种。


3.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层选自Spiro-MeOTAD、PEDOT:PSS、P3HT、PTAA、PThTPTI、金属氧化物或氧化石墨烯中的至少一种。


4.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述顶电极层为金属或有机材料。


5.如权利要求1所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述顶电极层的厚度为80～120nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为20-50nm；和/或，所述电子传输层的厚度为20-40nm。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的镝掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹力，赵春，赵策洲，刘伊娜，杨莉，
申请(专利权)人：西交利物浦大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32