一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法技术

本发明专利技术公开了一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，包括以下步骤：S1，在硅基底的背面沉积钝化层；S2，使用低能量激光器对钝化层照射激光，使激光照射下的钝化层形成开槽，开槽内的硅基底裸露；S3，在开槽和钝化层表面沉积保护层，保护层为氮化硅薄膜；S4，使用电子浆料烧穿开槽内的保护层，制备背电极，背电极与开槽内的硅基底接触。该PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法在沉积钝化层后立即通过低能量激光进行开槽，减少对硅基底损伤的同时降低能耗，而后沉积保护层，既实现了对钝化层的保护，还对硅基底表面和体内具有修复作用，降低复合中心，提高电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法
本专利技术涉及PERC电池背面制备
，特别涉及一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法。
技术介绍
PERC技术是通过在硅片背面增加一层钝化层(氧化铝或氧化硅)，对硅片起到钝化作用，可有效提升少子寿命。为防止钝化层被破坏而影响钝化效果，还会在钝化层外面再镀一层保护层(氮化硅)。由于钝化层为绝缘层，无法与铝背场形成电极通路，因而需要通过激光在硅片背面开槽，使硅基体露出，形成PERC单晶硅太阳能电池的局部表面场。目前PERC单晶太阳能电池背面制作流程一般为：硅基底背面使用PECVD方法先沉积氧化铝和氮化硅叠层钝化介质膜，然后利用高能量激光器对硅基底背面的特定区域进行照射，根据激光消融原理去除表面特定区域的叠层钝化介质膜，裸露出硅基底；然后在裸露的硅基底区域通过丝网印刷方式制备背面电极，最后完成太阳能电池背面制作过程。这种方法必须使用高能量激光照射硅基底才能将沉积在背面特定区域的叠层钝化介质膜去除，因此在激光消融过程中不可避免地会对硅基底造成损伤，从而在硅基底表面和硅基底体内产生缺陷，影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，在硅基底的背面沉积钝化层；/nS2，使用低能量激光器对所述钝化层照射激光，使激光照射下的钝化层形成开槽，所述开槽内的硅基底裸露；/nS3，在所述开槽和所述钝化层表面沉积保护层，所述保护层为氮化硅薄膜；/nS4，使用电子浆料烧穿所述开槽内的保护层，制备背电极，所述背电极与所述开槽内的硅基底接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在硅基底的背面沉积钝化层；
S2，使用低能量激光器对所述钝化层照射激光，使激光照射下的钝化层形成开槽，所述开槽内的硅基底裸露；
S3，在所述开槽和所述钝化层表面沉积保护层，所述保护层为氮化硅薄膜；
S4，使用电子浆料烧穿所述开槽内的保护层，制备背电极，所述背电极与所述开槽内的硅基底接触。


2.根据权利要求1所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S2中，激光功率为15～25W。


3.根据权利要求2所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S2中，激光频率为1000～2000kHz。


4.根据权利要求3所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S2中，激光速度为30000～45000m/s，激光光斑直径为20～30um。

【专利技术属性】
技术研发人员：康海涛，胡燕，曹思远，郭万武，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32