锑化铟芯片的制备方法技术

本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
锑化铟芯片的制备方法
本申请涉及一种半导体制备方法，具体而言，涉及一种锑化铟芯片的制备方法。
技术介绍
锑化铟是一种性能优良的中波红外探测器晶体材料，一般工作于77K，响应波段在3至5微米之间，采用室温光导模式工作，红外响应波长可延伸至6.5至7微米，该类红外探测器由于在室温工作，故用途较为广泛，比如：火源探寻、机车热轴探测、气体成本分析、安防安保等方面。因为基于锑化铟的红外传感器应用广泛，因此需求量巨大。在现有技术中，获得该类芯片往往存在两个问题：首先，为了获得性能优异的锑化铟芯片，需要采用具有合适掺杂浓度的p型导电的锑化铟单晶材料。由于锌、镉等p型杂质具有较大的分凝系数，导致作为加工原料的锑化铟单晶锭条中，可用段十分有限，从而造成良率低下，价格昂贵。其次，现在往往采用人工或机械方式切片、研磨和抛光的方式进行加工，主要包括如下步骤：(1)将晶圆研磨减薄至合适厚底，(2)用于拉丝切割机切割成条形，制成合适形状的芯片，(3)用金刚砂手工抛光，(4)对每个芯片进行腐蚀、减薄，(5)制作电极，(6)测试封装。由于以上加工是分别对每一个芯片个体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：/n所述制备方法包括：/n制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；/n对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；/n对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；/n对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；/n对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；/n用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；/n对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述制备方法包括：
制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；
对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；
对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；
对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；
对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；
用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；
对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。


2.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述制备方法还包括：
对第一预设厚度的所述锑化铟单晶晶圆的正面进行研磨和抛光。


3.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述制备方法还包括：
采用清洗剂清洗填充物和基片并收集产品芯片。


4.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述制备方法还包括：
制备n型纯锑化铟单晶晶柱；
将所述锑化铟单晶晶柱切割以制备出若干第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆。


5.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述n型锑化铟单晶晶圆的电子浓度小于等于5×1014每立方厘米。


6.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述n型锑化铟单晶晶圆的直径取值范围为5至15厘米。


7.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述第一预设厚度的取值范围为0.4毫米至1毫米。


8.根据权利要求1所述的锑化铟芯片的制备方法，其特征在于：
所述第二预设厚度的取值范围为10微米至100...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑律，马可军，俞振中，门楠，陈占胜，
申请(专利权)人：浙江森尼克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33