【技术实现步骤摘要】
一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池。
技术介绍
无线能量传输是指能量从能量源传输到能量负载的过程无需线缆即可实现的能量传输方式。基于无线传能的原理可以将当前发展的主要无线传能技术分为电磁感应无线传能、电磁共振无线传能、激光无线传能、微波无线传能等几类。电磁感应无线传能和电磁共振无线传能只能进行近距离的能量传输，不能用于对无人飞行器和航天器等远距离运动目标的能量传输。针对于太阳能无人机和航天器的飞行高度，适合的传能方式为激光无线传能与微波无线传能。激光无线传能系统是一种基于电-光-电的能量转换过程，实现能源在发射端和接收端的距离可调的非接触式传输。激光无线能量传输系统主要包括激光器、光束准直系统、激光跟瞄系统和激光光伏电池。激光器通过受激辐射将电能转换为激光，经光束控制系统实现光束质量和方向的调控，在通过大气传输后激光照射到光电接收端，基于接收端光电转换作用，将光能转换为电能并供设备使用。激光传能具有以下特点：1)光束...
【技术保护点】
1.一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法，其特征在于，至少包括：/nS1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga
【技术特征摘要】
1.一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法，其特征在于，至少包括：
S1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga1-xInxAs缓冲层；其中0.01≤x≤0.4，使用n型掺杂剂为Si或Se或Te，反应室压力为50-200mbar，生长温度为600–700℃，厚度范围为100-4000nm；
S2、在Ga1-xInxAs缓冲层上沉积第一子电池，第一子电池包括n型掺杂的n-Ga1-xInxAs基区层和p型掺杂的p-Ga1-xInxAs发射区层，其中，所述n-Ga1-xInxAs基区层的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3，厚度范围为50nm-300nm；所述p-Ga1-xInxAs发射区层的掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为1000nm-3000nm；使用n型掺杂剂为Si或Se或Te，p型掺杂剂为Zn或Mg或C；反应室压力为50-200mbar，生长温度为600–700℃；
S3、在第一子电池上沉积第一隧穿结，第一隧穿结包括n型掺杂的p+-GaAs层和p型掺杂的n+-AlGaAs层；其中，所述p+-GaAs层的掺杂浓度为1×1019-1×1021cm-3，厚度范围为10nm-100nm；所述n+AlGaAs层的掺杂浓度为1×1019-1×1021cm-3，厚度范围为10nm-100nm；使用的n型掺杂剂为Si或Se或Te，p型掺杂剂为Zn或Mg或C，反应室压力为50-200mbar，生长温度为500–600℃；
S4、在第一隧穿结上沉积第二子电池，第二子电池包括n型掺杂的n-Ga1-xInxAs基区层和p型掺杂的p-Ga1-xInxAs发射区层，其中，所述n-Ga1-xInxAs基区层的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3，厚度范围为50nm-300nm；所述p-Ga1-xInxAs发射区层的掺杂浓度为1×1017-1×1019cm-3，厚度范围为500nm-1000nm；使用n型掺杂剂为Si或Se或Te，p型掺杂剂为Zn或Mg或C，反应室压力...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐悦，张启明，张恒，刘如彬，孙强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12
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